2000 Fiscal Year Annual Research Report
電子-イオン・コインシデンス分光を用いた表面分析装置の開発と応用
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12555007
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| Research Institution | The High Energy Accelerator Research Organization |
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Principal Investigator |
間瀬 一彦 高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 助教授 (40241244)
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| Keywords | 表面分析 / 放射光 / 電子-イオン・コインシデンス分光 / オージェ電子分光 / X線光電子分光 / イオン質量分析 |
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| Research Abstract |
電子-イオン・コインシデンス分光法は、表面にX線を照射して、光電子あるいはオージェ電子をエネルギー分析して測定するとともに、電子と同時に脱離するイオンを質量分析して検出する手法であり、
1.表面水素を検出でき、水素が結合している原子を特定できる、
2.表面の組成と化学的状態を高感度非破壊で分析できる、
3.操作性が高く、初心者でも扱える、
など、表面分析法として優れた特性を持っている。本研究の目的は電子-イオン・コインシデンス分光法を利用した新しい表面分析装置を製作し、半導体素子や高分子、触媒などの表面に応用して、関連する諸工学に貢献することである。本年度の成果は、
1.Kai Siegbahnらの提唱した高感度高分解能電子エネルギーアナライザーを採用した電子-イオン・コインシデンス分光器を製作し、性能評価を行なった。E/ΔE=160の分解能が得られた。従来の分解能の約1.5倍である。
2.電子エネルギー分析器に内蔵する直径φ26mmのコンパクトな飛行時間型イオン質量分析器を開発した。
3.分析器の位置微調整機構のついたICF203支持フランジを開発した。
4.コインシデンス分光専用の超高真空装置を立ち上げた。
の4点である。今後は各部品を改良してコインシデンスアナライザーを完成し、性能評価を行なうとともに応用研究を遂行する予定である。
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Research Products
(1 results)
