2002 Fiscal Year Annual Research Report
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12555087
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
田部 道晴 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80262799)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
藤田 研 沖電気工業, 超LSI開発センター, 研究員
石川 靖彦 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 (60303541)
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| Keywords | SOI / MOSFET / 熱凝集 / Siアイランド / パターニング |
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| Research Abstract |
本研究では、薄いSOI層の熱凝集現象(アイランド化)の理解と抑制法の確立、および熱的に安定なSOI-MOSFETの形状・作製プロセスに対する指針を得ることを目的として研究を進めてきた。本年度は、SOI層のパターン化の効果、特に、ミクロンオーダー以下の横幅をもつ細線構造における熱凝集について検討を行った。
まず、電子ビーム露光と選択酸化により、SOI層を細線構造(最小線幅0.3μm)に加工するプロセスを確立した。このプロセスを用いて、膜厚約3nm、線幅0.5,1,2μmの細線構造を様々な結晶方位に沿って形成した。評価の途中ではあるが、以下のような結果が得られている。熱凝集はパターンの端から生じる。線幅が1-2μm程度の場合、細線加工しない場合に比べて、熱凝集が生じやすくなり、アイランドサイズのばらつきが大きくなる。また、アイランドは、細線を形成した方向と関係なく、<310>などSOI層の特定の結晶方位に沿って何列にも形成される。一方、線幅が0.5μmの場合は、一部例外はあるものの、サイズのよく揃ったアイランドが、細線の両端近傍(細線方向に沿って2列)に形成されており、2列のアイランド間にはSOI層が残存している。このことは、アイランド形成を抑制・制御できる可能性があることを示唆している。
今後、さらに実験データを蓄積するとともに、パターン化の影響を理論的に解釈し、熱的に安定なSOI層の形状を確立したい。
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Research Products
(5 results)
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[Publications] Y.Ishikawa, M.Kumezawa, Ratno Nuryadi, M.Tabe: "Effect of patterning on thermal agglomeration of ultrathin silicon-on-insulator layer"Applied Surface Science. 190. 11-15 (2002)
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[Publications] K.Sawada, M.Tabe, Y.Ishikawa, M.Ishida: "Field Electron Emission Device Using Silicon Nano-Protrusions"Journal of Vacuum Science Technology B. 20・3. 787-790 (2002)
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[Publications] 田部道晴, 澤田和明, ラトノ・ヌルヤディ, 杉木幹生, 石川靖彦, 石田誠: "シリコンナノ構造からの電子の電界放出"電子情報通信学会和文論文誌. J85-C・9. 803-809 (2002)
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[Publications] M.Iwasaki, Y.Ishikawa, T.Mizuno, H.Ikeda, M.Tabe: "Electrical Characteristics of Si/SiO_2 Resonant Tunneling Diodes"Proceedings of 7th Joint International Conference on Advanced Science and Technology(JICAST2002). 444-447 (2002)
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[Publications] Ratno Nuryadi, Y.Ishikawa, T.Mizuno, H.Ikeda, M.Tabe: "Fabrication of a Si Single-Electron Transistor with Coupled Dots"Proceedings of 7th Joint International Conference on Advanced Science and Technology(JICAST2002). 456-459 (2002)
