5層非対称結合量子井戸を用いた長波長用超広波長域・超高速光変調デバイスの開発

2001 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 12555100
• Research Institution: Yokohama National University
• Principal Investigator: 多田 邦雄 横浜国立大学, 大学院・工学研究院, 教授 (00010710)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 盧 柱亨 横浜国立大学, 大学院・工学研究院, 助手 (50313474) ; 荒川 太郎 横浜国立大学, 大学院・工学研究院, 助教授 (40293170) ; 羽路 伸夫 横浜国立大学, 大学院・工学研究院, 助教授 (30180920)
• Keywords: 光制御デバイス / 光変調器 / 光スイッチ / ポテンシャル制御量子井戸 / 5層非対称結合量子井戸 / 分子線エピタキシー法 / MEE法 / ECRドライエッチング

Research Abstract

本研究では、ポテンシャル制御量子井戸の一つである5層非対称結合量子井戸(FACQW)の作製およぴFACQWを用いた長波長用超広波長帯・超高速光変調デバイスの実現のため、その特性解析や作製技術の確立を目指した。
1.InGaAs/InAlAs-FACOWの電界誘起屈折率効果の解析:
InGaAs/InAlAs系FACQWおよびFACQWの構造を若干変更したModified FACQWに関して、シミュレーションにより構造の最適化と特性解析を行い、透明波長領域である1.55μm波長帯において巨大な電界誘起屈折率変化が得られる構造を見出した。また、FACQWの障壁層に、四元混晶InAlGaAsの替わりにInGaAs/InAlAs超格子を用いても同等の特性が得られることを明らかにした。
2.長波長帯用光制御デバイス作製法の研究:
長波長帯用光制御デバイスの作製のため、メタン・水素/酸素交互供給によるInP、InGaAs、InAlAsなどのECR-RIEエッチングについて研究し、良好な表面平滑性と端面垂直性を得るためのプロセス条件を確立した。
3.分子線エピタキシー(MBE)法およびMigration Enhanced Epitaxy(MEE)法による高品質量子井戸構造の作製:
MEE法によるAlGaAs成長において、AlとAs原子を同時供給した後GaとAsを交互供給する新原料供給シーケンスを用いるとともに、As分圧等の結晶成長条件を最適化して、ヘテロ界面の平坦性が極めて良好なGaAs/AlGaAs量子井戸の低温(490℃)における作製に成功した。この成長法はInGaAlAs系材料にも適用できると思われるので、MEEによる高品質InGaAs/InAlAs-FACQWの作製の見通しがついた。

Research Products

• [Publications] T.Suzuki, J.H.Noh, T.Arakawa, K.Tada, Y.Okamiya, Y.Miyagi, N.Sakai, N.Haneji: "Fabrication and Optical Characterization of Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well(FACQW)"Jpn. J. Appl. Phys.. 41,4B(4月号掲載予定). (2002)
• [Publications] T.suzuki, N.Haneji, K.Tada, Y.Shimogaki, Y.Nakano: "Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Beam Etching of InP by Cyclic Injection of CH_4/H_2/Ar and O_2"Jpn. J. Appl. Phys.. 41,1. 15-19 (2002)
• [Publications] K.Tada, T.Arakawa, J.-H.Noh, T.Suzuki, Y.Okamiya: "Optical Modulators Based on Potential-Tailored Quantum Wells for Broad Band Optical Fiber Communication"Int'l Conf. on Broad Band Optical Fiber Communication Technology (BBOFCT-2001). 119-124 (2001)
• [Publications] K.Tada, T.Arakawa, J.-H.Noh, T.Suzuki: "Wideband and Low Voltage Waveguide Modulators with Asymmetric Coupled QWs beyond 40 Gb/s"2001 IEEE/LEOS Annual Meeting Conference Proceedings. 1. 38-39 (2001)
• [Publications] K.Tada, T.Arakawa, J.-H.Noh, T.Suzuki, Y.Okamiya: "Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well --A Promising Nanostructure with Tailored Potential--"Proceedings of the 6th China-Japan Symposium on Thin Films (CJSTFVI). 16-19 (2001)
• [Publications] T.Arakawa, H.Feng, K.Tada, R.Iino, K.Kazuma, H.Noh: "Large Negative Eletrorefractive Index Change in Modified Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW)"Technical Digest of The 4th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO PR). 2. 232-233 (2001)