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2000 Fiscal Year Annual Research Report

変調ポテンシャル量子井戸による光路切替えスイッチのデジタル動作

Research Project

Project/Area Number 12750035
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

加藤 正樹  東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助手 (80312982)

Keywordsマッハツェンダー干渉計 / バルク半導体 / 偏光無依存動作
Research Abstract

光路切替えスイッチを実現するためには、マッハツェンダー干渉計の設計技術・作製技術をまず確立する必要がある。そのため本年度は、もっともシンプルなバルク材料を用いたマッハツェンダー干渉型光スイッチの試作と評価を行った。
バルク材料の変調器には、大きな変調帯域、適度な動作電圧、偏光無依存といった長所がある。そこで、導波路にバルク材料を用いた2×2のマッハツェンダー光スイッチを試作・測定し、導波路作製技術の確認、測定技術の確認を行った。
InP基板上に、バルクInGaAsPを含むP-I-NダイオードをMOCVDを用いて成長し、導波路幅2μmで、2つのMMIカプラを有するマッハツェンダー光スイッチを作製した。導波路構造は、CH4・H2・Ar/02交互供給ドライエッチングによる深さ1.5μmのハイメサ導波路とした。位相変調部となる電極には、Ti/Auを用いた。位相変調部の長さは500μm、素子の全長は2mmとした。
動作波長1.55μmにおいて、印加電圧3Vのスイッチ動作を達成した。この結果から、(動作電圧)×(位相変調部の長さ)は、1.5Vmmとなる。また、1.53μm〜1.56μmの波長範囲において、スイッチ動作の偏光無依存性も確認した。

  • Research Products

    (1 results)

All Other

All Publications (1 results)

  • [Publications] 並木良介,加藤正樹,中野義昭: "バルクInGaAsP/InPを用いたマッハツェンダー光スイッチの低電圧動作"第48回応用物理関連連合講演会. 28p-YF-1. (2001)

URL: 

Published: 2002-04-03   Modified: 2016-04-21  

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