RIEによる微小3次元自由曲面形状の創成に関する研究

2001 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 12750101
• Research Institution: Tokyo Metropolitan University
• Principal Investigator: 角田 陽 東京都立大学, 大学院・工学研究科, 助手 (60224359)
• Keywords: 反応性イオンエッチング / 自由曲面 / 単結晶シリコン

Research Abstract

RIE(反応性イオンエッチング)では,被加工材構成分子に対して,等方的な化学的エッチングと方向性のある物理的エッチングが同時に起きるので,その反応割合を制御することによって,3次元的な微小自由曲面の製作が可能となる.そこで,本研究では,RIEのエッチング条件と反応割合の関係を明確化し,RIEによる3次元的な微小自由曲面の製作技術を確立することを目的としている.具体的には,本年度は,被加工材の単結晶シリコンウエハについてのエッチング実験によって創成される3次元微小形状の詳細な観察と,励起気体分子のうち,物理的反応に寄与する分子と化学的反応に寄与する分子のそれぞれの組成と数量を質量分析手法によって解析した結果とを比較解析をおこない,物理的反応に寄与する分子と化学的反応に寄与する分子のそれぞれの組成の同定とその数量を解析し,それらと創成形状の関係を明らかにした.さらに,物理的エッチングと化学的エッチングの反応割合と創成形状の関係を明らかにし,3次元自由曲面の創成メカニズムの解明をはかった.

Research Products

• [Publications] 土井祐輔, 古川勇二, 諸貫信行, 角田陽: "規則形状面へのMBEによるナノテクスチャ面の創成〜円形穴を配置した(111)シリコン面におけるテクスチャ〜"2001年度精密工学会秋季大会学術講演論文集. (印刷中). (2001)
• [Publications] 土井祐輔, 古川勇二, 諸貫信行, 角田陽: "規則形状面へのMBEによるナノテクスチャ面の創成〜直線を配置した(111)シリコン面におけるテクスチャ〜"2002年度精密工学会春季大会学術講演論文集. (印刷中). (2002)