2014 Fiscal Year Annual Research Report
低電力損失ダイヤモンドデバイスの基幹を成す表面界面制御に関する研究
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12F02818
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
寺地 徳之 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主幹研究員 (50332747)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
FIORI Alexandre 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | ダイヤモンド / ホウ素ドープ / 低電力損失デバイス / 高温動作 / 表面・界面制御 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
炭化タングステンを電極とするダイヤモンドショットキーダイオード（SBD）界面の熱的安定性に関して、昨年度までは作製が容易な横型構造で評価を行ってきた。界面輸送機構を調べるために、今年度は縦型構造SBDを作製した。600Kでの真空熱処理を施すことにより、ダイヤモンドSBDのショットキー障壁高さが減少し、同時に理想因子が1.1.以下と理想性の高いSBDを形成することに成功した。このSBDは600K以下の温度では安定であった。また、ダイオード特性の温度依存性を調べたところ、安定化処理を施した場合でも、ショットキー障壁高さは1つの電極内で不均一であることを見出した。更に、電極界面の断面組成を調べたところ、600Kでの熱処理を施すことにより界面に金属酸化層が形成されていることを見出した。このことは、界面の金属酸化膜が熱的安定化のカギであることを示唆している。整流比が高いSBDと低いSBDに注目して、電極の界面構造を比較したところ、不良電極では界面酸化層が不均一な膜厚で形成されていることが分かった。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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[Presentation] TEM comparison of WC-based and Zr-based diamond Schottky diodes: oxide-related effects2015
Author(s)
J. Pinero, D. Araujo, P. Villar, A. Traore, D. Eon, P. Muret, A. Fiori, J. Pernot, T. Teraji,
Organizer
SBDD XX
Place of Presentation
Cultural Centre (Hasselt, Belgium)
Year and Date
2015-02-25 – 2015-02-27
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