2002 Fiscal Year Annual Research Report
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13305007
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| Research Institution | Kochi University of Technology |
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Principal Investigator |
成沢 忠 高知工科大学, 工学部, 教授 (30299383)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山本 哲也 高知工科大学, 工学部, 教授 (30320120)
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| Keywords | RBS / PIXE / ガラスキャピラリー / 収束イオンビーム / ナノテクノロジー / MEMS |
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| Research Abstract |
3年間にわたる研究計画の2年目として、ほぼ十分な成果をあげることができた。まず、初年度で導入した作製装置を活用して種々な形状を持つガラスキャピラリーを作製し、イオンビームの透過特性を評価した。併せて、既設のRBS装置にキャピラリーを装着し、nm-RBSを実現するために必要なビームラインの改造、サンプルステージの製作などを行った。
キャピラリーは出口の口径として、300nm程度までのものを信頼性よく作ることができるようになった。出口の形状が真円になりにくいなど、課題は残されているが、本研究の目的から言えばそれほど大きな障害とは考えられない。また、より口径の小さなキャピラリーも作れているはずであるが、計測手法が十分でないために確認には至っていない。
マイクロイオンビーム装置を持つ他研究所に上記キャピラリーを持ち込んでMeV領域の高エネルギーイオンの透過特性を測定したところ、入射イオンの数%がほとんどエネルギー損失なしで出射されることが確認できた。これはキャピラリーの強い収束作用を示すもので予想通りである。また、直径が1mm程度のイオンビームを入射させた場合も同様に収束されたイオンが出口から出て来ることも確認している。以上で本研究におけるハード的な開発、試作はおよそ終了したと言える。
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Research Products
(3 results)
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[Publications] K.-M.Wang et al.: "Projected Range, Range Straggling and Lateral Spread of 2.0 MeV Au^+ Ions Implanted into Si"Jpn.J.Appl.Phys.. 41. 918-921 (2002)
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[Publications] T.Narusawa: "Direct Growth of Epitaxial CoSi_2 on Si(001) Surfaces studied by RBS and TEM"Proceding of 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces. C3 (2002)
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[Publications] K.Ishida et al.: "Epitaxial growth of CoSi_2 on hydrogen-terminated Si(001)"Appl.Phys.Lett.. Mar.24 issue(発表予定). (2003)
