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2004 Fiscal Year Annual Research Report

六方晶系ワイドギャップ化合物半導体の極性制御による光電子物性の飛躍的改善の研究

Research Project

Project/Area Number 13450121
Research InstitutionChiba University

Principal Investigator

吉川 明彦  千葉大学, 工学部, 教授 (20016603)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 石谷 善博  千葉大学, 工学部, 助教授 (60291481)
崔 成伯  千葉大学, 工学部, 助手 (00361410)
KeywordsIII-V族窒化物 / エピタキシー / 結晶極性 / ワイドギャップ化合物半導体 / 窒化カリウム / 窒化アルミニュウム / 酸化亜鉛 / 分子線エピタキシー
Research Abstract

本年は、本研究の最終年度として、InNをベースとした光・電子デバイス構造実現へのステップとして、N極性における高In組成のInGaNおよびAlInN三元混晶のエピタキシ制御とInNをベースとした多重量子井戸(MQW)の検討を進めた。また、大きな格子不整合に起因するヘテロ界面での転位や欠陥の影響を避けうる構造として、量子ドット構造の形成についての検討も進めた。
(1)InNをベースとした三元混晶作製:InGaN及びAlInNエピタキシをN極性にて成膜することにより、全In組成域での成膜が可能となった。特にAlInNについては、世界で初めて広い組成領域でのエピ膜が得られ、この混晶系でのボーイングパラメータが約3.8eVと従来報告値より大きいことを明らかにした。
(2)InNをベースとしたMQWの作製:まずInN/GaN系でのMQW作製を検討した。N極性での高い成膜温度実現により、MQW構造は形成できたが約16%の大きな格子不整合に起因し、X線サテライトピークの観察は不可能であった。一方、障壁層をInGaNおよびInAlNとすることは格子不整合軽減にきわめて効果的であり、断面TEMおよびHR-XRD評価で高品質のMQW実現を確認した。特にAlInNは大きな伝導帯不連続を保ちながら格子不整合低減を可能とするものであることを示した。
(3)InNドットの作製:N極性でのInN量子ドット作製に初めて成功し、その形成機構を詳しく検討した。
以上より、窒化物系化合物半導体のエピタキシ制御と物性制御において、結晶極性制御がきわめて重要であることを明らかにした。

  • Research Products

    (8 results)

All 2005 2004

All Journal Article (8 results)

  • [Journal Article] Bandgap energy of InN and its temperature dependence2005

    • Author(s)
      Y.Ishitani
    • Journal Title

      phys.stat.sol.(c) (未定)

  • [Journal Article] InN/GaN SQW and DH structures grown by radio frequency plasma-assisted MBE2005

    • Author(s)
      Song-Bek Che
    • Journal Title

      phys.stat.sol.(c) (未定)

  • [Journal Article] Polarity control of ZnO films grown on nitrided c-sapphire by molecular-beam epitaxy2005

    • Author(s)
      Xinqiang Wang
    • Journal Title

      APPLIED PHYSICS LETTERS 86・1

      Pages: 011921-011923

  • [Journal Article] Molecular beam epitaxy growth of GaN, AlN and InN2005

    • Author(s)
      Xinqiang Wang
    • Journal Title

      Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials

      Pages: 1-65

  • [Journal Article] Growth of indium nitride quantum dots on N-polarity GaN by molecular beam epitaxy2005

    • Author(s)
      A.Yoshikawa
    • Journal Title

      APPLIED PHYSICS LETTERS (4月18日号)

  • [Journal Article] MBE Growth and Characterization of Device-Quality Thick InN Epilayers ; Comparison between N-polarity and In-polarity Growth Processes2004

    • Author(s)
      AKihiko Yoshikawa
    • Journal Title

      MRS proceedings of MRS 2004 fall meeting

  • [Journal Article] RF-MBE Growth of InN Dots on N-polar GaN Grown on Vicinal c-plane Sapphire2004

    • Author(s)
      Naoki Hashimoto
    • Journal Title

      MRS proceedings of MRS 2004 fall meeting

  • [Journal Article] Effect of Low Temperature Thin GaN Layer on ZnO Film Grown on Nitridated c-Sapphire by Molecular Beam Epitaxy2004

    • Author(s)
      Xinqiang WANG
    • Journal Title

      Jpn.J.Appl.Phys. 43(6A)・412

      Pages: L719-L721

URL: 

Published: 2006-07-12   Modified: 2016-04-21  

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