2004 Fiscal Year Annual Research Report
シリコン表面のウルトラクリーン洗浄・昇温過程における反応機構光制御の研究
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13555007
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
森田 瑞穂 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50157905)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
有馬 健太 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 (10324807)
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| Keywords | シリコン表面反応制御 / ウルトラクリーン洗浄 / 光照射効果 |
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| Research Abstract |
半導体生産の性能および信頼性を向上させるために、酸素フリー水あるいは水分フリー酸素とシリコン表面との反応への光照射効果を明らかにし、さらにこれらの条件下での水あるいは酸素の機能を新たに見いだして、科学的半導体生産システムとして具現化する基礎を築く目的に対して、超純水中のシリコンウェハへの光照射効果を明らかにしている。表面が水素終端化処理されたシリコンウェハを超純水中に浸漬させて、シリコンのバンドギャップエネルギーより大きいエネルギーの半導体レーザー光をシリコンウェハに照射することにより、光照射領域のシリコン表面が酸化されて、シリコン酸化膜が形成されることを見いだしている。形成されたシリコン酸化膜をエッチングすることにより、光照射領域のシリコン表面の加工が可能であることを示唆している。また、シリコンウェハのウェット洗浄において、ウェハ表面に付着したシリカやアルミナパーティクルの除去効果が高い洗浄を明らかにしている。そして、ウェット洗浄シリコンウェハのフーリエ変換赤外全反射吸収測定により、洗浄シリコン表面のマイクロラフネスに関係する原子結合状態を明らかにしている。さらに、シリコンウェハのウェット洗浄後、極めて薄いシリコン酸化膜を形成し、金属-酸化膜-半導体ダイオードを製作し、シリコン酸化膜のトンネル電流、絶縁破壊電圧への超純水洗浄効果を明らかにし、高い絶縁特性のダイオードを実現するための最適条件を明らかにしている。
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[Journal Article] Nano-Gap Device for Liquid Sensing2004
Author(s)
Satoru, MORITA, Tatsuya, TAKEGAWA, Takaaki HIROKANE, Shinichi URABE, Kenta ARIMA, Junichi UCHIKOSHI, Mizuho MORITA
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Journal Title
Extended Abstract of the 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials
Pages: 704-705
