2002 Fiscal Year Annual Research Report
モディファイドシリカガラスを用いた深紫外・真空紫外用ファイバーの開発
Project/Area Number |
13555240
|
Research Institution | TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
Principal Investigator |
細野 秀雄 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (30157028)
|
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大登 正敬 昭和電線電纜(株), 研究開発部, 研究員
植田 和茂 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助手 (70302982)
|
Keywords | 深紫外ファイバー / モディファイドシリカ / 点欠陥 / エキシマーレーザー / 光導波路 |
Research Abstract |
本年度は、モディファイドシリカガラスをファイバー化したものについて、耐エキシマーレーザー耐性の向上とファイバー先端の先鋭化処理の検討を中心に研究を行った。得られた主な成果を以下にまとめる。 (1)ファイバーを紡糸後、80℃で10気圧程度の高圧水素ガス中で処理することで、ArFエキシマーレーザーを50mJ/cm^2・palse×10^5palse照射しても193nmの波長で1m当り60%以上の透過率を保つことが分かった。 (2)欠陥生成に対するH_2-loadingの効果を検討するために、ポンプ-プローブ方を開発した。この装置はF2レーザーを1発照射で生成した酸素のダングリングボンドをin-siteで測定することができる。SiOHのNBOHC+H・、そして2H・=H_2の生成温度域と量子効率を明らかにした。 (3)200ppmのフッ素ドープしたシリカガラスが純粋なシリカガラスより極めてエッチング特性が優れていることを見出した。そして、このガラスをコアとした深紫外ファイバーをフッ酸中に浸漬するだけで、先端を先鋭化することができ、UV-SNOMのプローブとしての可能性を示唆した。
|
-
[Publications] H.Hosono et al.: "Vacuum Ultraviolet optical Absorption band of NBOHC in SiO_2 glass"Solid State Commun.. 122. 117-120 (2002)
-
[Publications] H.Hosono et al.: "Power dependence of defect formation in SiO_2 by F_2 laser"Applied Physics Lett.. 81. 3164-3166 (2002)
-
[Publications] K.Kajihara et al.: "Diffusion and reactions of H in F_2-irradiated SiO_2 glass"Physical Review Letters. 89. 135507-1-135507-4 (2002)
-
[Publications] H.Hosono: "Synthetic SiO_2 glass for microlithography and deep UV fibers"Glass Sci. Technol.. 74C. 205-216 (2002)
-
[Publications] Y.Ikuta et al.: "Effect of H_2-impregnation on excimer-laser-induced ODC formation in synthetic SiO_2 glass"Applied Physics Lett.. 80. 3916-3918 (2002)
-
[Publications] 大登 正敬, 細野 秀雄: "深紫外用光ファイバーの開発"レーザ加工学会. 9. 64-65 (2002)