塗布熱分解法によるCuInSe_2系/Si系のタンデム構造型薄膜太陽電池の検討

2001 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 13750284
• Research Category: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• Research Institution: Tokyo University of Science
• Principal Investigator: 安藤 静敏 東京理科大学, 工学部, 講師 (20251712)
• Keywords: CuInSe_2 / 薄膜太陽電池 / ナフテン酸金属塩 / 塗布熱分解法

Research Abstract

CuInSe_2(CIS)は,Siに比べ非常に大きな光吸収係数を有し,次世代の高効率薄膜太陽電池として期待されている。しかしながら,CIS系薄膜太陽電池のみでは,その材料の有する物性に制限され変換効率の向上にも限界があり,Si系太陽電池においても同様なことが考えられる。したがって,太陽電池の変換効率向上のブレイクスルーとして,両材料系の複合太陽電池の作製により大きな変換効率が期待できる。
本研究は,塗布熱分解法を用いてSi基板上へのCIS系の薄膜化技術を確立し,良質なCIS薄膜と太陽電池特性を得ることを目的とした。更に,本成膜法によりCIS系/Si系タンデム構造の薄膜太陽電池を検討し,太陽電池の変換効率の向上を目指す。
本年度は次の項目を重点的に行った。
(1)シリコンプロセスに対応すべき最適な下部電極の選択と電極薄膜の作製
(2)塗布熱分解法による酸化物電極/Si基板上へのCIS薄膜の作製
(3)CIS系薄膜太陽電池の変換効率向上のためのCu(In・Ga)Se_2薄膜の作製