2004 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
14205026
|
|---|
| Research Institution | Kumamoto University |
|---|
Principal Investigator |
渡邉 純二 熊本大学, 工学部, 教授 (40281076)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
峠 睦 熊本大学, 大学院・自然科学研究科, 助教授 (00107731)
松本 泰道 熊本大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (80114172)
黒田 規敬 熊本大学, 工学部, 教授 (40005963)
大渕 慶史 福岡工業大学, 工学部, 助教授 (10176993)
島田 尚一 大阪電機通信大学, 工学部, 教授 (20029317)
江龍 修 名古屋工業大学, 電気情報, 助教授 (10223679)
|
|---|
| Keywords | 紫外光照射研磨装置 / TiO_2固体光触媒 / 紫外光線 / ダイヤモンド単結晶 / SiC単結晶 / 酸化膜 / XPS分析 / 研磨加工 |
|---|
| Research Abstract |
前年度試作した新しい光触媒効果応用研磨装置の改良を行い、実用研磨装置としての適用条件を明らかにした。また、ガス雰囲気における研磨が可能となるよう一部互換性をもつ機構部を新たに試作し、予備検討を行った。さらに、ダイヤモンド単結晶研磨実験用に、ダイヤモンドポイントサンプルを試作し、これを研磨実験として使用し、ダイヤモンドの光触媒研磨の可能性を明らかにした。さらに新しいGaAs基板用研磨剤の実用可能性を検討した。
1.SiC単結晶ウエハφ65mmの実用的な研磨プロセスを設計した。スライスウエハを塩ビ系樹脂定盤とダイヤモンド粒子によりRa1〜2nmに仕上げ、次に試作した新研磨装置にて酸化クロム砥石(φ6mm)にて表面走査、Ra0.5nm前後とし、同じ装置により、紫外光を照射してTiO_2微粒子により最終仕上げとするものである。本技術は外部企業に移行して(共同研究の予定)若干の最適条件変更をし、実用化に進める。
2.ダイヤモンド単結晶の光触媒効果応用研磨の可能性を明らかにした。研磨実験用専用ポイントサンプルを使用して、石英定盤にTiO_2粒子を与えて研磨実験を行い、光触媒による研磨の可能性を明らかにした。さらに再現性、最適条件について検討中である。高能率化のために、石英基板のサンプル部には紫外光、軸対象部には赤外光(低パワーCO_2レーザ)を照射する装置構成を行い実験した。
3.GaAsウエハの光触媒研磨特性を把握した。従来使用されているCl系研磨剤に対して、環境にやさしい光触媒、H_2O_2系混合スラリーを開発し、研磨レートは低いものの、優れた表面形成が可能であることを明らかにし、今後実用に向けた条件設定と専用研磨装置の設計・開発を共同研究先を探索して進める。
|
