2002 Fiscal Year Annual Research Report
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14350470
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
辻 康之 北海道大学, 触媒化学研究センター, 教授 (30144330)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大洞 康嗣 北海道大学, 触媒化学研究センター, 助手 (50312418)
徳永 信 北海道大学, 触媒化学研究センター, 助教授 (40301767)
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| Keywords | デンドリマー / ホスフィン / 白金0価錯体 / パラジウム0価錯体 / 分子モデリング |
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| Research Abstract |
遷移金属錯体中心への適度な親和性を有すると考えられる芳香族ポリエテールを基本構造とするデンドリマー部位を有するホスフィン金属錯体の合成に成功した。ホスフィン配位子は多くの遷移金属分子触媒反応に用いられている最も有用な配位子である。特にその中でもトリフェニルホスフィン(TPP)と1,2-ビスジフェニルホスフィノエタン(DPPE)は最も有用な単座および二座配位ホスフィンであり,遷移金属錯体触媒反応における配位子としての挙動に関しても極めて広範囲の知見が蓄積されている。そこで,本年度はこのTPPとDPPEのフェニル基のパラ位にデンドリマー部位を導入し,デンドリマー部位を有するホスフィン配位子の合成をおこなった。そして,さらに,これらの配位子を用いて,触媒活性が高いことが期待される白金0価,パラジウム0価錯体の合成を行った。金属源として(MCl_2)(COD)(M=PtあるいはPd ; COD=シクロオクタジエン)を用いた。本研究で得られた錯体は,X線結晶解析に用いる単結晶を得ることは極めて困難であったため,本研究では,デンドリマー部分の計算はMM3分子力場計算で,遷移金属中心は密度汎関数法計算で,そして分子全体は最近開発された半経験的分子軌道法であるMOZYME法(PM3)を用いてナノスケール遷移金属錯体の分子モデリングを行い,遷移金属錯体の大きさ,形状,空孔の大きさなどを見積もった。その結果,中心金属の周辺に極めて特徴的な空孔の存在を明らかにすることに成功した。
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