2004 Fiscal Year Annual Research Report
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14390012
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| Research Institution | CHIBA UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
工藤 一浩 千葉大学, 工学部, 教授 (10195456)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
岸川 圭希 千葉大学, 工学部, 助教授 (40241939)
中村 雅一 千葉大学, 工学部, 助教授 (80332568)
国吉 繁一 千葉大学, 工学部, 助手 (30092050)
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| Keywords | 有機発光トランジスタ / 静電誘導トランジスタ / フレキシブルディスプレイ / 有機半導体 / 縦型トランジスタ / 有機EL / ショットキーゲート / 光サイリスタ |
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| Research Abstract |
本研究では、有機系フレキシブルディスプレイ駆動用素子として有機半導体材料と埋め込み型ゲート電極を用いた静電誘導型トランジスタ(Static Induction Transistor : SIT)と複合型発光トランジスタ素子を作製し、その基礎的動作特性について調べた。有機発光(Light Emitting Diode : LED)素子とSIT素子を組み合わせた有機発光トランジスタ構造(Organic Light Emitting Transistor : OLET)のトランジスタ応答速度と発光特性の関係について調べた結果、スリット状ゲート形状がOLETの動作速度、発光特性に影響を与えていることが判明した。一方、有機半導体層として銅フタロシニン、および高い移動度を有するペンタセンを有機薄膜層としたSIT素子を作製した結果、ソース電極界面の処理方法によって特性が大きく変化し、特にホール注入に対する適切なポテンシャルバリアを形成することによって、良好なゲート変調特性を有する素子を得ることが可能となった。また、プラスチック基板上に作製したSIT素子の静特性を測定した結果、ガラス基板上に作製したSIT素子とほぼ同等な特性が得られ、フレキシブル性を有するトランジスタを実現できることが判明した。さらに、ゲート電極スリット間隔とAlq_3、α-NPDの膜厚を最適化した結果、大きな変調度(on/off比100程度)と高い動作特性(300Hz)を得た。一方、サイリスタ構造を有するスイッチング機能について基礎的光動作特性について調べた結果、SIT部分の有機半導体が吸収する光によって、その動作特性が制御できることを示した。
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