2002 Fiscal Year Annual Research Report
擬一次元電気伝導体のリング状結晶における電荷密度波のアハラノフ・ボーム効果
Project/Area Number |
14540347
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Research Institution | Asahikawa National College of Technology |
Principal Investigator |
岡島 吉俊 旭川工業高等専門学校, 助教授 (00213934)
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Keywords | 一次元電気伝導体 / 電荷密度数 / 並進運動 / リンク状結晶 / アハラノフ・ボーム効果 / AB効果 |
Research Abstract |
本年度の研究実施結果は以下の通りである。 1 擬一次元電気伝導体NbSe_3の単結晶試料を作製するため、試料作成装置を立ち上げた。現在、いろいろな作製条件で試料を作製している。 2 電気抵抗の温度依存性や磁気抵抗を測定するためのクライオスタットと抵抗測定装置を作製中である。 3 新たに購入したソースメータ、温度コントローラの操作を練習し、習熟した。
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[Publications] S.Yasuzuka et al.: "Novel quantum state on the verge of destruction of the lower charge-density-wave phase in NbSe_3"Journal of Physics and Chemistry of Solids. 63・6-8. 1003-1006 (2002)
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[Publications] S.Tanda et al.: "A Mobius strip of single crystals"Nature. 417・6887. 397-398 (2002)