2003 Fiscal Year Annual Research Report
電圧印加累積法による色素超薄膜の会合体形成と微細加工技術の高機能化
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14550291
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| Research Institution | Chiba University |
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Principal Investigator |
串田 正人 千葉大学, 工学部, 助手 (70177989)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
斎藤 恭一 千葉大学, 工学部, 助教授 (90158915)
杉田 和之 千葉大学, 工学部, 教授 (70009273)
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| Keywords | Langmuir-Blodgett膜 / 電圧印加累積法 / 色素LB膜 / ナノテクノロジー / 超微細加工技術 / 分子エレクトロニクス / J会合体 / パターニング |
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| Research Abstract |
研究目的及び平成15年度の研究計画はL膜展開時およびL膜展開後に水面から離れた電極に電圧を印加しながら累積することによりLB膜面水平方向の構造制御性の向上をめざすことであった.すなわち電圧の極性,電圧印加後のL膜放置時間,水相のpHを変化させることによりLB膜の配向性および膜の累積比(基板上にLB膜が累積する割合)がどのように変化するかをまず調べる.その結果を用いて電圧印加条件によりLB膜の膜面内方向の周期構造が作製できることを期間内に明らかとする事である.
本年度はL膜分子を水面上にL膜分子を展開後でも,L膜展開中と同様に水面と離した金属電極板との間に電圧を印加することによりL膜での分子極限占有面積を制御できることを明らかにした.このL膜をガラス基板上に累積したLB膜のX線回折パターンの解析によりLB膜の層間距離が,L膜での電圧印加を行わなかった試料に比べ短くなっていることがわかった.また同じLB膜試料の紫外・可視吸収スペクトルより分子数密度が減少していることがわかった.これらの結果はLB膜の膜面水平方向での選択的な分子の累積,配向制御が行える可能性を示すものである.
LB膜の膜面水平方向での周期構造を作製するための十分な実験条件を探索することができ,上記の結果を踏まえて平成16年度以降はLB膜分子の膜面水平方向での微細加工技術の高機能化を行っていく予定である.
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Research Products
(6 results)
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[Publications] Masahito Kushida: "Study of Electric Dipole and Space Charge Characteristics of Al/C12TCNQ/Al by Means of Thermally Stimulated Current Measurements"Thin Solid Films. 423. 224-227 (2003)
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[Publications] Masahito Kushida: "Organic bistable memory switching phenomena in squarylium-dye Langmuir-Blodgett films"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. L622-L624 (2003)
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[Publications] 串田正人: "LB膜のMIMからのエネルギー放出とその機構"2004年電気学会全国大会. 第2分冊. 112 (2004)
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[Publications] 串田正人: "Au/C12TCNQとBEDT-TTFの混合LB膜/Alからのエネルギー放出"2004年電気学会全国大会. 第2分冊. 113 (2004)
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[Publications] 串田正人: "LB法による有機超薄膜の作製と構造制御"平成15年電気学会全国大会シンポジウム. 第2分冊. S7(3)-S7(6) (2003)
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[Publications] 加藤晶子: "電圧印加法による色素L膜およびLB膜の分子配向"第50回応用物理学関係連合講演会. 第3分冊. 1330 (2003)
