次世代DVD光源になる大容量情報処理用GaInN青色面発光レーザ

2002 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 14550319
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 坂口 孝浩 東京工業大学, 精密工学研究所, 助手 (70215622)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 本田 徹 工学院大学, 工学部, 助教授 (20251671) ; 宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
• Keywords: GaInN半導体 / 青色半導体レーザ / 面発光レーザ / 電流狭窄構造 / 多層膜反射鏡 / 埋め込み成長

Research Abstract

平成14年度は、これまでの技術を使って、MOVPE法(有機金属気相成長法)によりGaN, GaInNやAlGaNなどの単層の成長を行い、成長条件の把握と、最適化を行った。
また、面発光レーザに必要不可欠な高反射率反射鏡の設計を行うとともに、電子ビーム蒸着装置により、実際にSiO_2/ZrO_2を使った誘電体多層膜反射鏡の製作を行い、再現生よく、必要な高反射率が得られるようになった。そこで、これらのSiO_2や面発光レーザの反射鏡になる誘電体多層膜反射鏡(SiO_2/ZrO_2)をマスクとして選択成長を行った。これにより横成長によるハイブリッド構造の提案と実現、この選択成長の技術による電流狭窄構造の製作とその性能の評価を行った。また、電流狭窄構造に誘電体を使用すると誘電体の熱抵抗が大きいため、悪影響を与えるので、その熱抵抗を下げる工夫として、誘電体の代わりにAlNを使った、埋め込み型電流狭窄構造の提案と試作を行った。
このように14年度は、高反射率の反射鏡や電流狭窄構造の製作に力を入れ、.研究を行った。15年度は、活性層(光を発生するもの)や電極などの研究を重点的に進め、GaInN青色面発光レーザの実現を目指していく予定である。

Research Products

• [Publications] 坂口 孝浩, 小山 二三夫, 伊賀 健一: "GaN系青色面発光レーザ用共振器の形成と評価"日本結晶成長学会誌. 29・3. 47-54 (2002)
• [Publications] M.Ohta, T.Miyamoto, S.Makino, Y.Ikenaga, F.Koyama: "Effect of quantum well width reduction for GaInNAs/GaAs lasers"Optical Review. 9・6. 231-233 (2002)
• [Publications] Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama: "GainNAs based laser diodes grown by MOVPE"11th Int. Conf. on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Tue-Al. (2002)
• [Publications] Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama: "Progress of GaInNAs long wavelength lasers"The 2002 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. G-2-1. (2002)
• [Publications] Tomoyuki Miyamoto, Fumio Koyama: "Low threshold GaInNAs/GaAs VCSELs"7th Optoelectronics and Communication Conf.. 10C2-4. 150-151 (2002)
• [Publications] T.Honda, K.Iga, H.Kawanishi, T.Sakaguchi, F.Koyama: "Deposition of GaN films on glass substrate and its application to UV electroluminescent devices"Meeting of the Materials Research Society. L6.31. (2002)