2004 Fiscal Year Annual Research Report
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14550335
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| Research Institution | Meisei University |
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Principal Investigator |
鷹野 致和 明星大学, 理工学部, 教授 (90287897)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
板谷 太郎 産業技術総合研究所, 光技術研究部門・光電子制御デバイスグループ, 主任研究官 (60356459)
小倉 睦郎 産業技術総合研究所, 光技術研究部門・量子ナノ構造グループ, 研究グループ長 (90356717)
松井 敏明 情報通信研究機構, ミリ波デバイスグループ, 研究グループ長
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| Keywords | フェムト秒パルス発生伝播 / 可変容量ダイオード / ヘテロ接合 / GaN / GaAlNヘテロ構造 / 有限要素法シミュレーション / CV,IV特件 |
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| Research Abstract |
前年度の結果を基にして改良型GaN系ヘテロ接合型可変容量ダイオードの設計および試作を行った。
即ち化合物半導体デバイス設計に実績があるSilvaco社のATLAS/BLAZEソフトを用いて、有限要素法を用いてサファイア上にn-GaN/SI-GaN/SI-AlGaN/SI-GaN/n-GaN構造を作成したときのIV特性、CV特性をシミュレーションによって求めサンドイッチされる高バンド幅層の厚さ、層数によってCV特性がどう変わるかを明らかにした。
又実際に、この構造をGaN系構造をCVDによって成長し、ホトリソ工程、ドライエッチング工程、オーミック電極形成工程を経てダイオード構造を作りIV特性、CV特性をそれぞれパラメータアナライザ、CVメータを用いて測定し、シミュレーション結果と比較した。
更に将来の超高速LSIのクロックパルスを発生するためのMOSFET可変容量を負荷とする非線形伝送線路の基本構造を考案し、LSI工程と両立する工程で実際のデバイスを作る設計をした。
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