PLD法により成膜した非平衡希薄磁性半導体薄膜の光アイソレータへの応用

2002 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 14550342
• Research Institution: Gunma National College of Technology
• Principal Investigator: 渡辺 直寛 群馬工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (30230981)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 対馬 国郎 九州情報大学, 経営情報学部, 教授 (50217296)
• Keywords: 希薄磁性半導体 / PLD法 / ファラデー効果 / 非熱平衡 / 磁気光学効果

Research Abstract

本年度に於いては、本研究課題における初年度という事もあり、下記の1.2.の様に研究を進めた。
1.CdMnTe薄膜の試作
当該研究室に既設のレーザーアブレーション装置を用い、Cd_<1-x>Mn_xTe薄膜の試作を行った。
成膜時のパラメータは基板:石英・サファイア、基板温度:300C、レーザー波長:248nm、繰り返し周波数:10Hz、総ショット数6k Shotsパルスエネルギー:260〜310mJとした。この条件下にて10種類程度の成膜条件の異なる薄膜が得られた。
2.ファラデースペクトル・光吸収スペクトル測定系の構築
本研究費により仏Jobin-Ybon社製HR320モノクロメータを選定・購入した。また、既設の低温化装置(クライオミニ)を併用し、ファラデースペクトルと光吸収スペクトルの双方を低温にて測定できる光学系を構築しつつある。
現時点に於ける得られた薄膜の評価
上記1.にて得られた薄膜を2.の装置を使って評価を行った。現時点に於いてはまだ結晶性の良い薄膜は得られていない。これは本年度に於いてはまだ成膜した薄膜の数が少なく各種成膜条件を試す事が出来なかったためである。PLD法、特に非熱平衡相における成膜は、様々な条件にて成膜を行い条件を確立して行く必要があるが、本研究に於いてはCdの毒性を鑑み、その安全対策を緊急に講じていたためである。この処理法については本年度末に対策が完備した。次年度には予定通り様々な条件下にて非熱平衡希薄磁性半導体薄膜の成膜を行う。