2003 Fiscal Year Annual Research Report
PLD法により成膜した非平衡希薄磁性半導体薄膜の光アイソレータへの応用
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14550342
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| Research Institution | Gunma National College of Technology |
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Principal Investigator |
渡辺 直寛 群馬工業高等専門学校, 電子メディア工学科(旧電気工学科), 教授 (30230981)
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| Keywords | 希薄磁性半導体 / PLD法 / ファラデー効果 / 非熱平衡 / 磁気光学効果 |
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| Research Abstract |
本年度に於いては、本研究課題における2年目であり、下記の1.2.の様に研究を進めた。
1.CdMnTe薄膜の試作
当該研究室に既設のレーザーアブレーション装置を用い、Cd_<1-x>Mn_xTe薄膜の試作を初年度に引き続き行った。
成膜時のパラメータは
基板:石英・サファイア・GaAs、基板温度300〜350C、レーザー波長:248nm、繰り返し周波数:10〜15Hz、総ショット数6〜60kShots パルスエネルギー:260〜310mJとした。この条件下にて100種類以上の成膜条件の異なる薄膜を得た。
2.ファラデースペクトル・光吸収スペクトル測定系の構築
本研究費により購入した仏Jobin-Ybon社製HR320モノクロメータ、既設の低温化装置(クライオミニ)を用い、ファアラデースペクトル、光吸収スペクトル、カー回転角を低温にて測定できる光学系を構築した。
現時点に於ける得られた薄膜の評価
上記1.にて得られた薄膜を2.の装置を使って評価を行ってきた。残念ながら現時点に於いてはまだ結晶性の良い薄膜は得られていない。これは使用した基板との格子定数が異なる為であるが、現段階では特に基板温度が問題になってきているものと思われる。PLD法、特に非熱平衡相における成膜は、様々な条件にて成膜を行い条件を確立して行く必要がある。昨年度はCdの毒性に対応する為の装置の整備た時間がかかったが、現段階では精力的にせい膜パラメータの探索を行っている所である。
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