2003 Fiscal Year Annual Research Report
II-VI-N_2多元窒化物単結晶の成長と基礎物性解明
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14655007
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| Research Institution | Toyohashi University of Technology |
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Principal Investigator |
若原 昭浩 豊橋技術科学大学, 工学部, 助教授 (00230912)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
吉田 明 豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (20023145)
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| Keywords | II-IV-N_2窒化物半導体 / 有機金属気相成長法 / エピタキシャル成長 / 光学定数 / Raman / フォトルミネセンス |
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| Research Abstract |
III族窒化物半導体に格子整合可能なII-IV-N_2多元窒化物半導体の基礎物性解明を目指し,第1原理計算に基づき,ZnGeN_2を選択して,サファイア基板上へのヘテロエピタキシャル成長を試み,単結晶成長層を得ると共に,単結晶ZnGeN_2薄膜の基礎特性の評価を行った.その結果、以下のことが明らかとなった。
1)光学特性を調べるため,ZnGeN_2をα-Al_2O_3(10-12)基板上に直接エピタキシャル成長を試みた.その結果,エピタキシャル成長に成功し,その結晶方位関係は,ZnGeN_2(010)/α-Al_2O_3(10-12), ZnGeN_2[100]//α-Al_2O_3[11-20], ZnGeN_2[001]//α-Al_2O_3[10-11]であった.
2)光透過,反射測定よりZnGeN_2のバンドギャップが室温で約3.3eVであることを示した.
3)フォトルミネセンス測定により,ZnGeN_2からの励起子発光を初めて確認した.また,この発光の温度依存性より,バンドギャップの温度依存性を決定した.
4)Raman分光測定を行い,フォノン振動数について明らかにした.
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Research Products
(3 results)
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[Publications] T.Misaki, A.Wakahara, H.Okada, A.Yoshida: "Optical properties of ZnGeN_2 epitaxial layer"Phys.Stat.Solidi C. Vol.0(7). 2890-2893 (2003)
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[Publications] T.Misaki, A.Wakahara, H.Okada, A.Yoshida: "Epitaxial growth of ZnGeN_2 by metalorganic vapor phase epitaxy"Journal of Crystal Growth. 260. 125-129 (2004)
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[Publications] T.Misaki, K.Tsuchiya, D.Sakai, A.Wakahara, H.Okada, A.Yoshida: "Growth and characterization of ZnGeN_2 by using remote plasma enhanced metalorganic vapor phase epitaxy"Phys.Stat.Solidi C. Vol.0(1). 461-464 (2002)
