2002 Fiscal Year Annual Research Report
マイクロメカニクス技術を用いたGHz帯可変インダクタの開発
Project/Area Number |
14655132
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
益 一哉 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (20157192)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
下河邉 明 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (40016796)
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Keywords | 集積回路 / シリコン / インダクタ / オンチップ / 受動部品 |
Research Abstract |
本研究は、元々「マイクロアクチュエータ」という微少機械部品としての応用を目指していた研究を、「可変インダクタ」という電気回路部品として、いわば異なる応用分野へ展開しようとする研究である。現在の携帯電話をはじめとする機器ではGHz帯で動作するSiCMOSパワーアンプなどが利用されている。最適な動作を行うためにインピーダンスマッチングを取るために、受動素子としての高性能インダクタが必要であり、また小型化のためにはこの受動素子であるインダクタがSiチップ上に形成されていることが好ましい。SiULSIでは加工寸法ばらつきなどが本質的に伴うため、チップ毎に最適マッチングをとるためにはチップ上のインダクタが可変であることが望まれる。本研究ではSiULSIプロセスに適合可能なマイクロメカニクス技術(MEMS技術)を利用して、Siチップ上に可変インダクタを形成する。 具体的な材料として「薄膜金属ガラス」を用いる。これまでに分担者が開発してきた「マイクロ構造アクチュエータ」構造を「GHz帯可変インダクタ」に応用する。本年度は、第一段階の試作をおこない、GHz帯で数nHの大きさのインダクタとして動作することを実験的に確認した。スパイラルの高さを変化させたときに、そのインダクタの大きさが変化することも実験的に確認した。現在、3次元電磁界シミュレータとの比較検討を行い、次年度において、最適設計されたGHz帯可変インダクタを実現する予定である。
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[Publications] Y.Yokoyama, T.Fukushige, S.Hata, K.Masu, A.Shimokohbe: "On-chip Variable Inductor Using MEMS Technology"Jpn.J.Appl.Phys.. (To be published). (2003)
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[Publications] M.Yamaguchi, Y.Yokoyama, S.Ikeda, T.Kuribara, K.Masu, K.Arai: "Equivalent circuit analysis of RF integrated inductors with/without ferromagnetic material"Jpn.J.Appl.Phys.. (To be published). (2003)
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[Publications] T.Fukushige, Y.Yokoyama, S.Hata, K.Masu, A.Shimokohbe: "Fabrication and Evaluation of On-Chip Micro Variable Inductor"Proceedings of Micro-and Nanoengineering International Conference (MNE2002), (Lugano, Switzerland). 210-211 (2002)
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[Publications] Y.Yokoyama, T.Fukushige, S.Hata, K.Masu, A.Shimokohbe: "On-chip Variable Inductor Using MEMS Technology"2002 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya. 306-307 (2002)
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[Publications] 横山 佳巧, 福重 孝志, 秦 誠一, 益 一哉, 下河辺 明: "「MEMS技術によるオンチップ可変インダクタ」"2002年(平成14年)秋季第63回応用物理学会学術講演会. 26p-F-17 (2002)
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[Publications] 横山 佳巧, 福重 孝志, 秦 誠一, 益 一哉, 下河辺 明: "オンチップRF可変インダクタの開発"応用物理学会分科会シリコンテクノロジー. 49号. 23-28 (2003)