• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2004 Fiscal Year Annual Research Report

異方性ウエットエッチングを用いた溝型ゲートMOSトランジスタの作製

Research Project

Project/Area Number 14750266
Research InstitutionKyushu University

Principal Investigator

池田 晃裕  九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 助手 (60315124)

KeywordsRecessed channle MOSFET / Anisotropic wet etching / Short channle effect / Plasma oxidation / nitridation
Research Abstract

P on P^+エピウエハを用いて,異方性ウエットエッチングを用いた溝型ゲートMOSトランジスタを作製し,特性の評価を行った.KOHエッチングマスクのSiO2はEB露光とICPプラズマエッチングによりパターンニングを行った.最小ゲート長は0.2umであった.その電子移動度は,約60cm^2/V・secであった.ゲート絶縁膜にはプラズマ酸化/窒化膜を用いた.ゲート絶縁膜は,Coxの測定から6nm程度であった.酸化のみのゲート絶縁膜に比べて,プラズマ窒化によりリーク電流が凡そ半分に減らせることが確認された.しかし,SiON/Si界面準位は10^11/cm^2台と通常の平面上のSiO2/Si界面と比べてかなり大きいことが分かった.また,ゲート絶縁膜の絶縁破壊電圧分布を調べたところ,窒化酸化膜で凡そ7MV/cmと低い位置にピークを持つことが分かった.KOHエッチング面のSiON/Si界面準位が多いことが主な原因であると考えられる.今回得られた移動度は,一般的な平面型MOSFETのそれに比べてかなり低い.その原因についてSiON/Si界面の界面準位が高いことに加えて,ドレイン・基板間pn接合の逆バイアスリーク電流が非常に大きいことが影響していることが分かった.今回ソース・ドレイン接合はスピンコートしたPSG(リンガラス)膜からのRTAによる個相拡散を用いているが,リン以外の不要な不純物も拡散してしまったと考えられる.また,この方法では,0.5um以下の浅い接合を形成することもできなかった.イオン注入など精密に制御されたリークの少ないpn接合の形成により,さらなるMOSFET特性の改善が期待されると思われる.

  • Research Products

    (6 results)

All 2005 2004

All Journal Article (6 results)

  • [Journal Article] A Recessed Channel MOSFET with Plasma-grown Silicon Oxynitride Gate Dielectric2005

    • Author(s)
      Rohana Perera, Akihiro Ikeda, Yukinori Kuroki
    • Journal Title

      Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University Vol.10, No.1(to be published)

  • [Journal Article] A Study of the Reliability of MOSFETs in Two Stacked Thin Chips for 3D System in Package2005

    • Author(s)
      A.Ikeda, Y.Kuroki, et al.
    • Journal Title

      Proceeding of 43rd IEEE Reliability Physics Symposium (to be published)

  • [Journal Article] Simulated Characteristics of Deep-submicrometer Recessed Channel epi-MOSFETs2004

    • Author(s)
      Rohana Perera, Akihiro Ikeda, Yukinori Kuroki
    • Journal Title

      Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University Vol.9, No.2

      Pages: 67-72

  • [Journal Article] Recessed Channel MOSFET Using Low Temperature Plasma Gate Oxide on P on P+ Epitaxial Si Wafer2004

    • Author(s)
      Akihiro Ikeda, Rohana Perera, Yukinori Kuroki
    • Journal Title

      Abstract of 7th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology & 17th Symposium on Plasma Science for Materials

      Pages: 76

  • [Journal Article] Design and Measurements of Test Element Group Wafer Thinned to 10μm for 3D System in Package2004

    • Author(s)
      Akihiro Ikeda, et al.
    • Journal Title

      Proc.IEEE Internal Conference on Microelectronic Test Structures Vol.17

      Pages: 161-164

  • [Journal Article] Mass-production fabrication of miniaturized plastic chip devices for biochemical applications2004

    • Author(s)
      T.Fujimura, A.Ikeda, et al.
    • Journal Title

      Proceeding of Device and Process Technologies for MEMS, Microelectronics, and Photonics III Vol.5276

      Pages: 392-399

URL: 

Published: 2006-07-12   Modified: 2016-04-21  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi