2015 Fiscal Year Annual Research Report
先端ゲートスタックプロセスによる高信頼性ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴの開発
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14F04359
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
渡部 平司 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90379115)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
CHANTHAPHAN ATTHAWUT 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2014-04-25 – 2017-03-31
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| Keywords | 電子・電気材料 / パワーエレクトロニクス |
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| Outline of Annual Research Achievements |
シリコンカーバイド（SiC）は、従来のシリコン半導体に代わるパワーデバイス用材料として注目を集めている。近年、SiC基板の製造技術や結晶成長技術が進展し、SiCショットキーバリアダイオードの優位性実証と実用化が進んでいる。一方、スイッチングデバイスとしては、回路応用の観点からnormally-off特性を有したMOSFETの普及が強く望まれている。しかし、SiC-MOSデバイスでは、絶縁特性、界面電気特性ならびに長期信頼性に優れたゲート絶縁膜作製技術の確立には至っていない。従って、物性解析に基づいた絶縁膜形成技術や界面特性評価手法の構築が急務となっている。本研究では、物性解析に基づいた高性能SiC-MOSデバイスの研究開発に取り組んでおり、平成27年度では以下の研究成果を得た。①カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面の物性解析を実施し、SiC-MOS界面欠陥からの発光解析を通じて熱酸化MOS界面の欠陥構造モデルを提唱して、その研究成果を学術誌（Applied Physics Letters）に共著で発表した。②SiC-MOS界面への窒素導入技術として窒素雰囲気中高温アニール処理を新たに提案し、その優位性をMOSキャパシタの電気特性から実証した（AIP Advances誌に論文掲載）。③SiC-MOS界面へのBa元素添加による増速酸化現象ならびに界面電気特性改善技術に関する探索研究を通じて、SiC-MOSデバイス作製における重要な知見を得た。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
得られた研究成果をハイレベルな学術誌にタイムリーに発表すると共に、新規プロセス技術の提案を継続的に進め、当初の予想以上の研究成果を得ている。
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| Strategy for Future Research Activity |
新規SiC-MOS構造形成技術の優位性実証を継続すると共に、産学連携研究を通じてトランジスタレベルでの優位性実証を進める。
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Research Products
(10 results)
