2014 Fiscal Year Annual Research Report
ハーフメタル上への単結晶ゲルマニウム薄膜成長と縦型スピン素子への応用
| Project/Area Number |
14J03485
|
|---|
| Research Institution | Osaka University |
|---|
Principal Investigator |
河野 慎 大阪大学, 基礎工学研究科, 特別研究員(DC1)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2014-04-25 – 2017-03-31
|
| Keywords | スピントロニクス / ゲルマニウム / ハーフメタル |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
研究代表者は、シリコンプラットフォーム上に集積可能なハーフメタルソースドレイン構造を有するGeチャネル縦型スピンMOSFETを作製するための要素技術を開発することを目的としている。本研究は、スケーリング則に依存してきた既存のシリコン大規模集積回路の性能向上に新たなブレークスルーをもたらす大変意義のある研究である。
本年度は、ハーフメタルが予想されている強磁性ホイスラー合金Co2FeSi直上へのGeの低温分子線エピタキシーを検討した。詳細な結晶構造及び磁気特性評価から、良質なGe/Co2FeSiヘテロ構造を実現するためには、Geを~250℃以下の低成長温度域でさえ2次元エピタキシャル成長させる技術の開発が必要不可欠であることを突き止めた。そこで、この要求を満たすために、Geと同じIV族元素のSnを添加する2つの手法（サーファクタントエピタキシー法、同時蒸着法）をそれぞれ検討した。その結果、この温度制限下でもGeを強磁性ホイスラー合金上に2次元エピタキシャル成長させることに成功した。これは、縦型スピン素子の基本構造『ハーフメタル/Ge/ハーフメタル』の実現へと大きく前進する重要な研究成果である。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
これまで誰も実証していない『強磁性ホイスラー合金上のGeエピタキシャル薄膜の極低温形成』に成功し、初期に計画した通り研究が進んでいるため、おおむね順調に進展していると判断する。
|
| Strategy for Future Research Activity |
現在、本年度に得られた成果をまとめた論文を執筆中であり、早期にこの技術の有用性をアピールする予定である。また、これまでナノ微細加工プロセスの開発も検討してきており、縦型スピン素子の作製に向けた準備も着々と進行している。今後は、これらの技術を融合して、Ge/Co2FeSi界面を介したスピン輸送を実証していく予定である。
|
