2014 Fiscal Year Annual Research Report
Ｈｉｇｈ－ｋ／ＳｉＧｅ ＭＯＳ界面を用いたＳｉＧｅ光電子集積回路に関する研究
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14J09221
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
韓 在勲 東京大学, 工学系研究科, 特別研究員(DC1)
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| Project Period (FY) |
2014-04-25 – 2017-03-31
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| Keywords | MOS interface / 高移動度チャネル材料 / SiGe / MOS光変調器 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
SiGe MOS型光変調器を実現するにあたって、そのMOS界面への理解は不可欠である。我々はSiGe MOS界面を改善するため、プラズマ後窒化法を提案し、関連の研究を随行した。今年は特にSiGeの面方位の違いに関して研究を行った。SiGeの正孔移動度は(110)面で(100)面より高くなることが報告されており[1]、FinFETなどで応用されているが、その界面に関してはまだ十分研究されていなかった。我々は、今までSiGeのMOS界面特性の改善を報告してきたプラズマ後窒化法を用いてSiGe面方位による特性の違いを研究して発表した(国内学会1件、国際学会1件)。(100)面で報告した通り、(110)面でもプラズマ後窒化による界面特性の改善が観測された。しかし、(100)面より(110)面の界面準位密度が高く観測され、その理由について考察する必要がある。一般的にSiでは、表面に余っているSiの結合手(ダングリングボンド)の数が(110)面の方が大きいという事実から説明されるが、SiGeに関してはまだその理由がはっきりしていないのが現状である。今後、この理由をはっきりしていくのも課題として残っている。今後は、これらの結果をさらに発展させ、またこの結果を用いてデバイスの実現に向けて研究を進める。
[1] P. Hashemi, et al., symp. VLSI Tech. Dig., p. 16, 2014.
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
SiGe MOS界面への理解がより深まった。後、結果を出している途中ではあるが、MOS光変調器を作る上で一番難しいゲートの形成を、基板貼り合わせ方によって解決する目途を立てた。この内容に関してはまだ発表していないので、次年度の成果としてまとめて報告できると思う。
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| Strategy for Future Research Activity |
SiGe MOS界面への理解が深まったので、この結果をMOSFETなどの電子素子を実現するためにはどうすればいいかを研究する。また、光変調器に関しては、基板貼り合わせによるMOSゲートの形成がうまくいきそうなので、この結果をより深く調べ、デバイスの応用まで持っていく。
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