MEMS技術を用いたプラスチック基板への埋め込み・配線技術の確立

2003 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 15206042
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 服部 励治 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 助教授 (60221503)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 池田 晃裕 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 助手 (60315124)
• Keywords: プラスチック基板 / 平坦化 / 埋め込み / 電子ペーパー / 平面ディスプレイ

Research Abstract

我々は本年度、LISチップを精度良く基板に埋め込み,その後の表面が凹凸なく,微細配線が可能となるLSIチップ埋め込みプロセスの確立を行った.以下にそれによって得られた知見を示す.
1.プラスチック基板へのLSIチップの埋め込み
プラスチック基板としては厚さ0.5mmのポリカーボネート基板を用い、その内部にディスプレイドライバーとなる20mm×2mmのLSIチップの埋め込みプロセスを確立した.その埋め込んだ後のチップと基板表面は非常に平坦で後の金属配線には全く支障のないレベルにあることを確かめた.
2.絶縁膜形成
チップを埋め込み平坦化したプラスチック基板上に絶縁膜となるプラスチック層をスピンコーティングで成膜できる技術を確立した.
3.プラスチック基板へのリアクティブイオンエッチングによる穴あけ
プラスチック基板(ポリカーボネート)を用い、新たに購入したリアクティブイオンエッチング装置(サムコインターナショナル研究所製)を使用してチップ埋め込み用の穴を形成した.プラスチック基板へのドライエッチングによる穴あけは今まであまり多くの実験が行われておらず,深さ精度,壁面の垂直性,底面の平坦性などをガス種,パワー,電極間距離などを変えて最適化を行った.
3.金属成膜とパターニング
平坦化しコンタクトホールを形成した基板にITO、Cr、Alなどの金属をスパッタ法で形成し、その後、10umのライン・アンド・スペースでパターニングすることが出来た.