2004 Fiscal Year Annual Research Report
プラズマ吸収プローブを用いた電子密度・電子温度の同時計測と堆積性プラズマへの応用
| Project/Area Number |
15340200
|
|---|
| Research Institution | Chubu University |
|---|
Principal Investigator |
中村 圭二 中部大学, 工学部, 助教授 (20227888)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
池澤 俊治郎 中部大学, 工学部, 教授 (60065282)
山口 作太郎 中部大学, 工学部, 教授 (10249964)
菅井 秀郎 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (40005517)
豊田 直樹 (株)ニッシン, 技術部・研究員
木下 啓蔵 超先端電子技術開発機構, 半導体MIRAIプロジェクト, サブグループリーダー(研究職)
|
|---|
| Keywords | プラズマプロセス / 電子密度 / 堆積膜 / プラズマ吸収プローブ / 分散関係 / 表面波 / シース |
|---|
| Research Abstract |
最近、LSIなどの電子デバイスにおける大容量化、高速化、低消費電力化に対する要求が強く、0.1ミクロン以下の超微細加工や、配線遅延を低減するために低誘電率材料(Low-K材)などに関連した技術開発が進んでいる。これらの微細加工やLow-K材の薄膜形成のために現在プラズマがよく用いられているが、所望の特性を得るには至っておらず、プラズマ内部の諸現象の理解とそれを踏まえた上でプロセスに適したプラズマ制御に対する指針を得ることが、それらの問題を解決するために不可欠な緊急の課題となっている。
本研究では、膜堆積を伴うフロンプラズマなどでの絶対電子密度計測が可能なプラズマ吸収プローブをベースに工夫を凝らし、これまで困難とされてきた電子温度も同時に測定できるような新型のプラズマ吸収プローブを開発する。さらにここで開発した技術を膜堆積が伴うプロセスプラズマに適用して、プロセスの高性能化に資する基礎データを得ることを目的とする。
今年度は、主に、先端アンテナを被覆しないプローブにおいて、アンテナ周辺に形成されたシースとプラズマの境界部を伝搬する表面波の分散関係をもとに、ガラス管の外径やアンテナ径が吸収周波数に及ぼす効果を調べ、従来の標準型プローブを用いても電子温度を調べることができるかどうかを検討した。その結果、ガラス管の外径が太い標準型プローブでは、吸収周波数に及ぼすシースの効果があまり大きくないので、電子温度を調べるのは困難であるが、1mm程度以下までガラス管外径を小さくすれば、ある程度電子温度を求められ、電子密度が低いほどその精度が高くなることがわかった。
|
Research Products
(3 results)
