2003 Fiscal Year Annual Research Report

原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー

Research Project

Project/Area Number	15360004
Research Institution	Tokyo University of Agriculture and Technology
Principal Investigator	纐纈明伯東京農工大学, 工学部, 教授 (10111626)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	寒川義裕東京農工大学, 工学部, 助手 (90327320)
Keywords	HVPE / AlN / AlGaN / 基板結晶 / 自立基板結晶
Research Abstract	本研究では、HVPE(ハロゲン系気相成長法)を用いた厚膜エピタキシーによりAlNおよびAlGaNの厚膜基板結晶作製のための基礎研究を行うことを目的としている。平成15年度の目的は以下の様である。 (1)Al系HVPEの確立:通常、Al系のHVPEには大きな困難さを伴う。本研究の独創的な手法(原料分子制御)により、この困難さを打開する。 (2)初期基板の選定:サファイヤを初めとする種々の初期基板候補があるが、初期基板表面の原子配置を制御したナノ結晶場を用いる最適な初期基板を決定する。平成15年度の主な成果を以下に示す。原料分子を制御するために、Al金属とHClガスをとの反応領域温度を700℃以下に制御することにより、安定なAlCl_3の生成を確認し、その後、AlCl_3-NH_3-H_2系によるAlNのHVPE成長を行い、初めてAlNのHVPE成長に成功した。成長温度、原料濃度などの成長パラメータに対する成長速度および結晶品質の関係を明らかにした。一方、赤外加熱による局部加熱HVPE成長法の設計および装置作製を行い、平成16年度に実際の成長を行う予定である。この方法によれば、安定した長時間成長が可能と考えている。

Research Products

(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] Yoshinao KUMAGAI: "Hydride vapor phase epitaxy of AlN : thermodynamic analysis of aluminum source and its application to growth"Phys.Stat.Sol.(c). 0. 2498-2501 (2003)
[Publications] Yoshihiro KANGAYA: "Influence of lattice constraint from InN and GaN substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MOVPE"Phys.Stat.Sol.(c). 0. 2575-2579 (2003)
[Publications] Hisashi MURAKAMI: "Improvements in crystalline quality of thick GaN layers on GaAs(111)A by periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers"Phys.Stat.Sol.(c). 0. 2141-2144 (2003)
[Publications] Yoshinao Kumagai: "High Temperature Ramping Rate for GaAs(111)A Substrate Covered with a Thin GaN Buffer Layer for Thick GaN Growth at 1000℃"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. 526-528 (2003)
[Publications] Hisashi MURAKAMI: "Influence of substrate polarity on the low-temperature GaN buffer layer growth on GaAs(111)A and (111)B substrates"J.Cryst.Growth. 247. 245-250 (2003)
[Publications] Yuriko MATSUO: "Theoretical investigation of arsenic desorption from GaAs(001) surfaces under an atomosphere of hydrogen"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. 2578-2581 (2003)

2003 Fiscal Year Annual Research Report

原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー

Principal Investigator

纐纈 明伯 東京農工大学, 工学部, 教授 (10111626)

Research Products

[Publications] Yoshinao KUMAGAI: "Hydride vapor phase epitaxy of AlN : thermodynamic analysis of aluminum source and its application to growth"Phys.Stat.Sol.(c). 0. 2498-2501 (2003)

[Publications] Yoshihiro KANGAYA: "Influence of lattice constraint from InN and GaN substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MOVPE"Phys.Stat.Sol.(c). 0. 2575-2579 (2003)

[Publications] Hisashi MURAKAMI: "Improvements in crystalline quality of thick GaN layers on GaAs(111)A by periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers"Phys.Stat.Sol.(c). 0. 2141-2144 (2003)

[Publications] Yoshinao Kumagai: "High Temperature Ramping Rate for GaAs(111)A Substrate Covered with a Thin GaN Buffer Layer for Thick GaN Growth at 1000℃"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. 526-528 (2003)

[Publications] Hisashi MURAKAMI: "Influence of substrate polarity on the low-temperature GaN buffer layer growth on GaAs(111)A and (111)B substrates"J.Cryst.Growth. 247. 245-250 (2003)

[Publications] Yuriko MATSUO: "Theoretical investigation of arsenic desorption from GaAs(001) surfaces under an atomosphere of hydrogen"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. 2578-2581 (2003)

纐纈明伯東京農工大学, 工学部, 教授 (10111626)