2005 Fiscal Year Annual Research Report
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15360007
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
種村 眞幸 名古屋工業大学, 工学研究科, 助教授 (30236715)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
市川 洋 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (10314072)
種村 榮 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (10324469)
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| Keywords | ナノ材料 / 半導体 / イオン衝撃 / Si(シリコン) / ZnO(酸化亜鉛) / C(炭素) / ナノワイヤー / ナノファイバー |
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| Research Abstract |
a)ヘテロ構造ナノワイヤーの合成
昨年度の成果を踏まえ、主に、Si、ZnO(酸化亜鉛)、C、金属材料のナノ構造先端へのカーボン及び金属-カーボン複合ナノワイヤーの室温でのヘテロ成長、及び、ZnO/SiO_2ヘテロナノ構造体(ナノニードル)の低温形成に注力した。カーボン系ナノワイヤー(C-NW)では、基板となる材料を問わず、基板材料ナノ構造先端へのヘテロ構造C-NWの室温合成が可能であった。室温合成の利点を活かし、プラスチック基板上へのC-NW/ZnOヘテロナノ構造体の合成も可能であった。また、NWの疎密成長制御も可能であった。ZnO/SiO_2ヘテロナノニードルでも、低温での高密度形成が可能であり、Si基板上に形成されたZnO/SiO_2ヘテロナノニードルからは、室温での、紫外線のランダムレーザ発振が確認された。
b)研究成果全般の検討
任意材質のナノ構造先端へのC-NW合成条件が確立されたことを踏まえ、種々の応用展開を積極的に図った。基板材料のナノ構造先端に選択的に単一C-NWが成長する特質を利用し、市販走査プローブ顕微鏡探針上への単一C-NWの合成を行った。その探針を原子間力顕微鏡に実際に装着し特性評価を行った結果、高アスペクト比試料に対して良好な分解能と長時間の耐久性を有し、実用に耐えうることが実証された。また、フラットパネルディスプレイ用電子源応用では、従来超寿命化に不可欠とされてきた超高真空を必要とせず、電子放射中に一旦損傷を受けても、自己再生し、良好な電子放射特性が非超高真空下でも維持されることが確認された。また、プラスチック基板上に成長したC-NWでは、プラスチックを折り曲げた状態でも良好な電子放射が認められ、その放出電子を利用した、フレキシブルX線源の試作に成功した。
c)成果の公表
本研究で得られた成果は、著名な国際誌23編、図書1冊、出願特許9件にまとめられた。
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