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2004 Fiscal Year Annual Research Report

エアーブリジ構造を用いたフリースタンデイング3C-SiCの結晶成長

Research Project

Project/Area Number 15360010
Research InstitutionKyoto Institute of Technology

Principal Investigator

西野 茂弘  京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授 (30089122)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 林 康明  京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助教授 (30243116)
Keywordsシリコンカーバイド / 3C-SiC / 立法晶SiC / ヘテロエピタキシャル / マイクロチャネルエピタキシー / 選択成長 / 気相成長 / CVD
Research Abstract

SiCは増大する商業上の重要性にかかわらず,SiC基板は今だ比較的高価である.このため低価格化に向けてSi基板上に成長させようとする様々な報告がされている.しかしながらこのヘテロエピタキシャル成長を用いた方法でSiC基板を製品として実用化している例は少ない.学術研究としての課題は更なる欠陥低減方法の追求である.例えば他の材料で用いられている方法をSiCに応用することなども考えられる.そこで注目したのはマイクロチャネルエピタキシーという方法である.今まで報告されてきたマイクロチャネルエピタキシーを用いたSi上3C-SiC成長に関しては、欠陥の低減が可能であると見出されつつある段階に来ている.しかしながらこの方法を利用して実用しようとする動きは全くない.これはこの方法を利用した報告では,まだまだ評価に関して不十分である.そしてこの方法に関する実用に向けた問題点を議論した報告がそれまで無かった.そこで本実験ではもう一度成長に注目してこの方法が欠陥の低減につながる方法であるか否かを,電子顕微鏡を用いて評価を行った.最初に他のグループが提案したアイデアを利用したコラム構造を用いたSiCエピタキシャル成長と,新しく提案するT型構造を用いたSiCエピタキシャル成長について議論した.そしてこれまでは横方向に欠陥の低減した領域を形成させることを考えていたが,縦型マイクロチャネルエピタキシーの方法を用いることで成長上部に欠陥の低減した領域を作ることを目的とし新しい成長方法を提案した.これらの成長方法を総括して,マイクロ加工付き基板上へのSiCエピタキシャル成長と名付けることにして,報告した.そして最後に本成長の実用に向けた問題点について議論した.

  • Research Products

    (12 results)

All 2005 2004

All Journal Article (12 results)

  • [Journal Article] Pendio epitaxial growth of 3C-SiC on Si subastrates2005

    • Author(s)
      A.Shoji, M.Nakamura, K.Mitikami, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
    • Journal Title

      Materials Science Forum 483-485

      Pages: 221-224

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [Journal Article] Effect of the substrate off-axis on the suppression of twin formation in CVD growth of (111)3C-SiC on (110)Si substrate2005

    • Author(s)
      T.Nishiguchi, M.Nakamura, K.Nishio, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
    • Journal Title

      Materials Science Forum 483-485

      Pages: 193-196

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [Journal Article] Suppression mechanism of double positioning growth in 3C-SiC(111) crystal by using an off-axis Si(110) substrate2005

    • Author(s)
      M.Nakamura, T.Isshiki, T.Nishiguchi, K.Nishio, S.Ohshima, S.Nishino
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 353-356

      Pages: 181-184

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [Journal Article] Suppression of the twin formation in CVD growth of (111)3C-SiC on (110)Si substrate2005

    • Author(s)
      T.Nishiguchi, M.Nakamura, K.Nishio, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 353-356

      Pages: 193-196

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [Journal Article] Micorstuructures in the Pendio epitaxial layer of 3C-SiC on Si substrate2005

    • Author(s)
      A.Shoji, M.Nakamura, K.Mitikami, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 353-356

      Pages: 221-224

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [Journal Article] Later Microfabrication of Si column covered with SiC film for electronn emitter2005

    • Author(s)
      T.Nakata, Y.Ohshirao, A.Shoji, Y.Okui, S.Ohshima, Y.Hayashi, S.Nishino
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 353-356

      Pages: 237-240

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [Journal Article] Lateral epitaxial overgrowth of 3C-SiC on Si substrates by CVD method2005

    • Author(s)
      S.Sugishita, A.Shoji, Y.Mukai, T.Nishiguchi, K.Michikami, T.Isshiki, S.Ohshima, S.nishino
    • Journal Title

      Materials Science Forum 483-485

      Pages: 177-180

  • [Journal Article] Infuence of substrate roughness on the formation of defects in 3C-SiC grown on Si(110) substrates by hetero-epitaxial CVD method2005

    • Author(s)
      T.Isshiki, M.Nakamura, T.Nishiguchi, K.Nishio, S.Ohshima, S.Nishino
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 353-356

      Pages: 185-188

  • [Journal Article] Later An in-situ post growth annnealing process for the improvement of 4H-SiC/SiO2 MOS interface prepared by CVD using TEOS, and its characteristic study2005

    • Author(s)
      K.Kumaresan, H.Furuichi, K.Taguchi, S.Yukimoto, S.Nishino
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 353-356

      Pages: 681-684

  • [Journal Article] Lateral epitaxial overgrowth and reduction in defect density of 3C-SiC on patterned Si2004

    • Author(s)
      A.R.Bushroa, C.Jacob, H.Saijo, S.Nishino
    • Journal Title

      J.Crystal Growth 271

      Pages: 200-206

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [Journal Article] Raman microprobe mapping of residual microstresses in 3C-SiC film epitaxial lateral2004

    • Author(s)
      C.J.Lee, G.Pezzottie, Y.Okui, S.Nishino
    • Journal Title

      Applied Surface Science 228

      Pages: 10-16

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [Journal Article] Structural Analysis of (211)3C-SiC on (211)Si Substrates Grown by Chemical Vapor Deposition2004

    • Author(s)
      T.Nishiguchi, Y.Mukai, M.Nakamura, K.Nishio, T.Isshiki, S.Ohshima, S.Nishino
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 457-460

      Pages: 285-288

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より

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Published: 2006-07-12   Modified: 2016-04-21  

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