2004 Fiscal Year Annual Research Report
エアーブリジ構造を用いたフリースタンデイング3C-SiCの結晶成長
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15360010
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| Research Institution | Kyoto Institute of Technology |
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Principal Investigator |
西野 茂弘 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授 (30089122)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
林 康明 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助教授 (30243116)
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| Keywords | シリコンカーバイド / 3C-SiC / 立法晶SiC / ヘテロエピタキシャル / マイクロチャネルエピタキシー / 選択成長 / 気相成長 / CVD |
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| Research Abstract |
SiCは増大する商業上の重要性にかかわらず,SiC基板は今だ比較的高価である.このため低価格化に向けてSi基板上に成長させようとする様々な報告がされている.しかしながらこのヘテロエピタキシャル成長を用いた方法でSiC基板を製品として実用化している例は少ない.学術研究としての課題は更なる欠陥低減方法の追求である.例えば他の材料で用いられている方法をSiCに応用することなども考えられる.そこで注目したのはマイクロチャネルエピタキシーという方法である.今まで報告されてきたマイクロチャネルエピタキシーを用いたSi上3C-SiC成長に関しては、欠陥の低減が可能であると見出されつつある段階に来ている.しかしながらこの方法を利用して実用しようとする動きは全くない.これはこの方法を利用した報告では,まだまだ評価に関して不十分である.そしてこの方法に関する実用に向けた問題点を議論した報告がそれまで無かった.そこで本実験ではもう一度成長に注目してこの方法が欠陥の低減につながる方法であるか否かを,電子顕微鏡を用いて評価を行った.最初に他のグループが提案したアイデアを利用したコラム構造を用いたSiCエピタキシャル成長と,新しく提案するT型構造を用いたSiCエピタキシャル成長について議論した.そしてこれまでは横方向に欠陥の低減した領域を形成させることを考えていたが,縦型マイクロチャネルエピタキシーの方法を用いることで成長上部に欠陥の低減した領域を作ることを目的とし新しい成長方法を提案した.これらの成長方法を総括して,マイクロ加工付き基板上へのSiCエピタキシャル成長と名付けることにして,報告した.そして最後に本成長の実用に向けた問題点について議論した.
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