2003 Fiscal Year Annual Research Report
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15360399
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
市野 良一 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 講師 (70223104)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
黒田 健介 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助手 (00283408)
興戸 正純 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50126843)
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| Keywords | ZnTe / 光半導体 / 電解皮膜 / 有機溶媒 / 溶融塩 / 電極 / UPD |
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| Research Abstract |
化合物半導体はバルクの作製、あるいは乾式法による皮膜作製が主流であった。しかし、S,Se,Teなどのカルコゲンは水溶液中から析出可能であることから、カルコゲナイド化合物半導体皮膜の湿式コーティングが研究されるようになった。
これまで、水溶液中からのCuInSe_2およびZnTeなど光化合物半導体皮膜の析出と皮膜特性について評価を行ってきたところ、アンダーポテンシャルデポジション(UPD)による析出メカニズムであること、および析出温度が高いほど化合物の結晶性が良好であることがわかった。そこで、有機溶媒を用いることにより結晶性が向上し、光特性の良好な皮膜の作製を試みた。金属イオンの溶解度の観点から比誘電率の高い有機溶媒を選定し、また、沸点の高さからそれぞれ数種類の有機溶媒を選定した。
水溶液を用いた場合と比べ、炭酸プロピレン溶媒を用いた場合、組成、表面形態、結晶性の良好なZnTe皮膜の電解析出が可能であった。また、採用する有機溶媒の種類によっては、UPD析出であったり、そうでなかったりすることが判明した。有機溶媒とUPD析出との関係については現在検討中である。UPD析出により化合物を生成させる場合、電解条件、特に、化学両論組成に近いZnTe化合物皮膜生成の電位幅が広くなることが分かった。
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