2004 Fiscal Year Annual Research Report
スピン揺らぎ超伝導のdHvA効果による伝導電子散乱の研究
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15540327
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| Research Institution | TOHOKU UNIVERSITY |
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Principal Investigator |
落合 明 東北大学, 極低温科学センター, 助教授 (90183772)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
青木 晴善 東北大学, 極低温科学センター, 教授 (60302246)
木村 憲彰 東北大学, 極低温科学センター, 助手 (30292311)
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| Keywords | 遍歴電子強磁性 / 超伝導 / ドハース・ファンアルフェン効果 / スピン揺らぎ |
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| Research Abstract |
本研究の目的は、スピン揺らぎを媒介とすると考えられている超伝導物質のドハース・ファンアルフェン(dHvA)効果から、伝導電子の散乱緩和時間の詳細を調べ、スピン揺らぎと散乱の関係を明らかにすることである。本年度は前年度得られたZrZn_2とUGe_2に共通する異常強磁性相図の結果を踏まえ、特にZrZn_2の異なる強磁性相間の伝導電子の有効質量や散乱緩和時間の変化を詳細に調べた。
その結果、ZrZn_2ではUGe_2で見られたような有効質量および散乱緩和時間に明確な変化はなく、超伝導の出現と磁気的揺らぎを反映した有効質量や緩和時間に相関はないという結論が得られた。ただし、ZrZn_2の超伝導はその再現性が乏しく、超伝導の出現にはまだ我々がコントロールできていない未知のパラメータがある可能性がある。したがって、超伝導の出現と散乱緩和時間の相関は超伝導をコントロールしている未知のパラメータを制御することによってはじめて観測できるものである可能性がある。そこで、我々はこの未知のパラメータを決めるべく超伝導の再現性の確認を行った。その結果、放電加工で切り出した試料でのみ超伝導が出現することが明らかとなり、ZrZn_2の超伝導は加工によって生ずる表面の不純物もしくは歪によるものであることを明らかにした。仮に歪によって超伝導が誘起されることが明らかとなれば、このような磁気揺らぎの支配的な超伝導の発現機構の解明に極めて重要なヒントを与えることが期待される。
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