2004 Fiscal Year Annual Research Report
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15550055
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| Research Institution | Chiba Institute of Technology |
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Principal Investigator |
槌本 昌信 千葉工業大学, 工学部, 助教授 (10255599)
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| Keywords | ランタノイドイオン / ヘテロ多核金属錯体 / バナジウム錯体 / 合成 / 磁性 |
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| Research Abstract |
ランタノイドイオンを含む金属錯体は磁性体や発光材料、触媒などへの応用目的から、近年、さかんに研究が行われている。申請者は新たにランタノイドイオンと他の遷移金属イオンを含むヘテロ多核金属錯体を合成し、新たな物性と反応性を持つ化合物の開発を試みた。
5座のシッフ塩基を配位子とするオキソバナジウム(IV)錯体[VO(HL)](H_3L : N, N'-di-3-ethoxysalicylidene-2-hydroxy-1,3-propanediamine)とLn(acac)_3(Ln=Eu, Gd, Tb, Ce)を反応させ、V(V)-Ln(III)-Ln(III)-V(V)(Ln=Eu, Gd, Tb)4核錯体とV(V)-Ce(IV)-V(V)3核錯体の合成に成功し、構造決定を行った。これらの錯体をアスコルビン酸と反応させて還元し、それぞれの錯体の還元体を得た。還元体の電子スペクトル、IRスペクトルやサイクリックボルタンメトリーの測定結果などから、これらの還元体はV(IV)-Ln(III)-Ln(III)-V(IV)(Ln=Eu, Gd, Tb)4核錯体、およびV(IV)-Ce(IV)-V(IV)3核錯体であると推測している。現在、これらの錯体の磁気測定などを行い、物性を調べている。
三脚型6座のシッフ塩基を配位子とするNi(II)錯体、[Ni(HL')](H_3L' :1,1,1-tris(N-salicylideneaminomethyl)ethane)をGd(hfc)_3(hfc : hexafluoroacetylacetone)、Gd(NO_3)_3、Gd(CH_3COO)_3とそれぞれ反応させるとNi(II)-Gd(III)2核錯体、Ni(II)-Gd(III)-Ni(II)3錯体、およびNi(II)-Gd(III)-Gd(III)-Ni(II)4錯体がそれぞれ生成した。これらの錯体のNi(II)-Gd(III)イオン間には強磁性的相互作用があることが明らかとなった。
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