2005 Fiscal Year Annual Research Report
π共役系高分子超薄膜の構築と有機ナノデバイスへの展開
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15550157
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
青木 純 名古屋工業大学, 工学研究科, 助教授 (50250709)
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| Keywords | ポリヘキシルチオフェン / 正孔注入層 / 有機EL素子 / ラングミュア-ブロジェット膜 |
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| Research Abstract |
本研究では正孔注入効率を改善することで有機EL素子の低駆動電圧や高発光効率化が期待できることから、正孔注入層として導電性高分子であるポリ(3-ヘキシルチオフェン)(PHT)を用い、これを混合ラングミュア-ブロジェット(LB)法によって分子レベルで超薄膜化し、有機EL素子特性の評価を行い、導電性超薄膜を用いた正孔注入層を開発した。
有機EL素子の正孔注入層としてITO電極上にPHT超薄膜を混合LB法により作製し、その他の正孔輸送層、発光層、電子輸送層および陰極としてトリフェニルアミン、アルミニウムキノリン錯体およびAlを順次真空蒸着して有機EL素子を作製し、正孔注入層の効果について下記の検討を行った。
1.PHT単層LB膜の有無による有機EL素子の発光開始電圧および発光効率の影響について検討した。PHT単層LB膜の有無により有機EL素子の低駆動電圧(11V->7V)および発光効率(1.2->1.5cd/A)の向上が計れた。
2.有機EL素子の発光開始電圧および発光効率のPHT LB膜の累積層数依存性についてまた、LB膜とスピンコート膜との比較検討を行った。正孔注入層として必要な膜厚の最適化およびスピンコート法に比べ混合LB法の優位性を明らかにした。
3.PHT LB膜の電気化学ドーピング効果について検討した。電気化学ドーピングでは、電極電位の制御によりPHT LB膜のフェルミレベルを制御でき、さらなる有機EL素子の低駆動電圧および発光効率の向上を期待したが、ドープしたPHT LB膜は真空中では脱ドープを起こし、電気化学ドープ効果が得られないといった問題点が明らかとなった。
これらの成果は学術雑誌Chemistry Letters,34,1566-1567(2005)に公表し、また知的財産権(特願2005-269246)を出願した。
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