2003 Fiscal Year Annual Research Report
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15560112
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| Research Institution | Utsunomiya University |
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Principal Investigator |
川口 尊久 宇都宮大学, 工学研究科, 助手 (60234043)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
畑沢 鉄三 宇都宮大学, 工学部, 教授 (30114169)
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| Keywords | 真実接触面積 / 固体表面 / スパッタ薄膜 / マルチスケール / ヘルツ接触 / SPM |
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| Research Abstract |
本研究は,種々のスケールの突起が接触した場合に,それらの突起がどのように接触するのか,測定範囲1μm四方以下で見られる特に微小な突起の接触について詳細に観察,解析することにより固体の接触機構の究明を行うことを目的としている.
そこで本研究では,スパッタリングにより固体表面に数nmの薄膜を被覆させ,その皮膜が接触によって他の固体表面に移着することを利用して,真実接触部を検出する方法を考案し,その有用性について検討を行っている.これまで試料表面の吸着分子の影響を考察するために,低真空環境下(10^3Pa)での実験を行なってきたが,さらに詳細な検討のために中真空中(約10^1Pa)での接触実験を行なう必要性があると考えられる.そのためには,実験装置から発生するガス等を真空中にて加熱処理することにより取り除き,実験装置自体の清浄度をより向上させることで可能であると考えられる.
そこで,これまで行うことができなかった中真空中での接触実験を行うためには,真空ベーキング装置を準備し押付け実験まで行う予定であったが,真空ベーキング装置の競合製品の中で十分な比較検討を行ったために,装置の納入が当初の予定よりずれこんでしまい,現在は真空ベーキング性能等の検討を行っている.性能としては,真空度が10Pa以下,到達温度が200℃となることが確認された.また,真空中で実験装置をベーキングすることによりガスの発生が確認され,さらに今後真空ベーキングを繰り返していくことにより実験装置の清浄度が上がっていくと考えられる.
今後は,真空ベーキングにより清浄度を改善した実験装置を使用し,中真空中での押付けや窒素やアルゴンなどの不活性な性質を持つガスにした場合などについても併せて実験,検討を行なう予定である.
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