2004 Fiscal Year Annual Research Report
GHz帯動作の集積回路に用いるヘテロアモルファス超高周波インダクタ磁心の開発
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15560285
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| Research Institution | Sojo University |
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Principal Investigator |
宗像 誠 崇城大学, 工学部, 助教授 (10183112)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
八木 正昭 崇城大学, 工学部, 教授 (80005371)
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| Keywords | GHz帯 / 超高周波磁気デバイス / 伝送線路 / ヘテロアモルファス / ナノ構造 / 電気共鳴周波数 / スリットパターン / B元素添加 |
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| Research Abstract |
平成16年度は年度計画に従い,二三の課題を残して目標の実績をほぼ達成した。
ヘテロアモルファス磁性薄膜材料の試作と1次試作超高周波磁気デバイスの磁性膜特性向について開発研究を行った。膜の高周波透磁率を6-10GHzまで測定評価した結果,μr'/μr"が2GHz以上で10を超えるような磁気特性を持つ膜が試作可能であることを明らかにした(業績1)。
さらに,1次試作デバイス(伝送線路デバイス:業績2)の磁性膜特性向上のための問題点を明らかにし,耐熱性の向上,磁気共鳴周波数の向上について検討した。その結果,耐熱性の向上についてはヘテロアモルファス構造から結晶化させたナノ構造が有効であることを見出し(業績3),磁気共鳴周波数の向上については,形状異方性を利用したスリットパターン法(業績4)およびB元素添加調整(業績5)が有効であること見出した。
残された課題は,それぞれの有効な処方をお互いの効果を損なわずに組み合わせることであり,二次試作に際してそれらの検討を予定している。インダクタデバイスについては,一次試作を続行しており,デバイス設計ならびに作製プロセスなどにもフィードバックし,二次試作デバイスの特性および磁性膜特性の向上を図る予定である。
以上のように,二三の課題を残してはいるが,何れの業績(1-5)においても他者の記録を世界的に上回る特性が得られており,これらの結果をさらに実用,量産のレベルまでに高めるための材料開発およびそれらの基礎となる物性研究を,申請当初の目的と計画のとおり推進している。
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