2004 Fiscal Year Annual Research Report
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15655056
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
谷岡 明彦 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (10092561)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
松本 英俊 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助手 (40345393)
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| Keywords | セリシン / セリシン複合膜 / 低周波 / 電磁波 |
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| Research Abstract |
本年度は生体素材膜の作製および低周波の電磁波による影響を検討するために電解質物質輸送の検討を行った。
1.生体素材膜(高分子ゲル膜)の作製
(1)前年度に確立した方法で製膜(PVA膜 セリシン:PVA=1:1膜)
(2)含水率の異なった膜の製造(1%セリシンとPVAの混合比を変化させる)
2.電磁波(低周波)による電解質物質透過への影響の検討
(1)前年度電磁波(低周波)受けることが可能な透過セルを試作した。この試作セルにより生体素材膜(高分子ゲル膜)における電磁波(30Hz,40Hz)による電解質溶液(溶媒)の影響を検討した
(2)攪拌方法による電解質物質の透過現象の影響を解明。
物質の輸送について
上記セルを用いて基準値として市販の荷電膜における電解質溶液におけるの透過現象を測定した。その結果攪拌法による影響は初期においては透過係数がランダム攪拌>低周波攪拌であるが長期にわたると低周波攪拌の方が大きくなることが判明した。
低周波電磁波の大きさ、含水率の大きな膜および水側に振動を与えることにより物質の透過係数は大きくなった。
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