| Research Abstract |
本研究では,常温において,光のオンオフにより磁性を制御できる材料(以下,光誘起磁性材料)から,マイクロ梁を製作し,一定磁場環境下で,光照射の有無により,梁が変位することが可能か実証することにある.また,変位が確認された場合,アクチュエータとしての発生力や応答速度の計測を行い,アクチュエータの将来性を検討する.
本年度は,分子線エピタキシー装置により,ガリウム,砒素,鉄の分子線量,GaAs基板の温度をコントロールしながら,同時成長,交互成長,二層成長の三種類の成長法によって,GaAs-Fe複合構造を作製し,磁化測定や,X線回折測定を行うことで試料の評価を行った.
その結果,同時成長,交互成長によって,試料の一部に,常温にて,レーザ光を当てることで,磁化変化を示すものが実現できた.しかし,この試料の光誘起磁化は微小であり,従来製作された最高の磁化変化を示した試料には及ばなかった.
また,二層成長では,従来にない大きな磁化変化を実現したが,その磁化変化分には,試料の温度上昇に依存する部分も多く含まれており,純粋な光磁化の検証のため,更なる検討が必要である.現段階では,熱磁化に起因する化合物は,Fe3Ga4であることを,ほぼ特定したが,光磁化に起因する化合物,メカニズムに関しては,特定できていない.
また,GaAs-Fe試料から,光磁気駆動実験のため,マイクロ梁の製作方法を検討し,縦横数ミリ,厚み十数μmの試験用片持ち梁の製作にも成功している.
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