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2005 Fiscal Year Annual Research Report

シリコン表面ナノホールをテンプレートとしたナノ構造の作製とその光学特性の評価

Research Project

Project/Area Number 15681006
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

大野 裕  大阪大学, 大学院・理学研究科, 助手 (80243129)

Keywords表面ナノホール / シリコン / 表面拡散 / 透過電子顕微鏡 / カソードルミネッセンス / 偏光 / ナノ構造
Research Abstract

電子線照射によって薄膜表面上の任意の領域に形成できるナノメーターサイズのくぼみの集合(表面ラフネス)を核形成のための鋳型(テンプレート)とする位置制御された表面ナノ構造の形成に関し、その形成機構を精密解析した。また、形成されたナノ構造の光学特性を調べるための測定法を開発した。
電子線の照射量に依存する表面ラフネスが存在するシリコン表面上に金原子を蒸着し、熱処理して金微粒子を形成したのちその空間分布と個々のサイズを調べた。解析より、表面ラフネスに依存する拡散係数および吸着係数の兼ね合いで金微粒子の空間分布とサイズが変化する、とする独自の理論で実験結果がよく説明できた(K.Torigoe, Y.Ohno, T.Ichihashi and S.Takeda, Inst.Phys.Conf.Ser.,in press)。当初計画していたくぼみの内部への金原子の充填は本研究手法では原理的に無理であることが明らかになったが、電子線量を調節し適当な表面ラフネスを導入すると、その表面上に選択的に金ナノ構造の集合体を形成できることを示した(K.Torigoe, Y.Ohno, T.Ichihashi, and S.Takeda, to be published in Physica B)。
ナノ構造独自の光学特性を評価するためには、高い空間分解能で光学測定することが必然である。とりわけ、内部構造や形状に依存する偏光特性の評価が重要と考え、従来より独自に開発を進めてきた、透過型電子顕微鏡内その場可視分光測定装置の改良を進めた。その手法を用いて、半導体内部に存在するナノ構造の光学特性を明らかにした(Y.Ohno, Phys.Rev.B72(2005)121307(R),Y.Ohno, Appl.Phys.Lett.87(2005)181909,etc.)。

  • Research Products

    (9 results)

All 2006 2005

All Journal Article (9 results)

  • [Journal Article] Microstructure of a CuPt-ordered GaInP alloy revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy2006

    • Author(s)
      Y.Ohno
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics 45(印刷中)

      Pages: 1-4

  • [Journal Article] Dynamics of Au Adatoms on Electron-Irradiated Rough Si Surfaces2006

    • Author(s)
      K.Torigoe, Y.Ohno, T.Ichihashi, S.Takeda
    • Journal Title

      Institute of Physics Conference Series (印刷中)

      Pages: 1-4

  • [Journal Article] Growth process of gold nanoparticles on rough Si surfaces2006

    • Author(s)
      K.Torigoe, Y.Ohno, T.Ichihashi, S.Takeda
    • Journal Title

      Physica B (印刷中)

      Pages: 1-4

  • [Journal Article] Localized energy levels associated with dislocations in ZnSe revealed by polarized CL spectroscopy under light illumination2006

    • Author(s)
      Y.Ohno
    • Journal Title

      Institute of Physics Conference Series (印刷中)

      Pages: 1-4

  • [Journal Article] Electronic properties of antiphase boundaries in CuPt-ordered GaInP alloys2006

    • Author(s)
      Y.Ohno
    • Journal Title

      Physica B (印刷中)

      Pages: 1-4

  • [Journal Article] Atomistic structure of spontaneously-ordered GaInP alloy revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy and polarized cathodoluminescence spectroscopy2006

    • Author(s)
      Y.Ohno
    • Journal Title

      Institute of Physics Conference Series (印刷中)

      Pages: 1-4

  • [Journal Article] Photo-induced stress in a ZnSe/GaAs epilayer containing 90°α partial dislocations2005

    • Author(s)
      Y.Ohno
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 87

      Pages: 181909/1-181909/3

  • [Journal Article] Polarized light emission from antiphase boundaries acting as slanting quantum wells in GaP/InP short-period superlattices2005

    • Author(s)
      Y.Ohno
    • Journal Title

      Physical Review B 72

      Pages: 121307(R)/1-121307(R)/4

  • [Journal Article] Fe-catalytic growth of ZnSe nanowires on a ZnSe(001) surface at low temperatures by molecular beam epitaxy2005

    • Author(s)
      Y.Ohno, T.Shirahama, S.Takeda, A.Ishizumi, Y.Kanemitsu
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 87

      Pages: 043105/1-043105/3

URL: 

Published: 2007-04-02   Modified: 2016-04-21  

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