2004 Fiscal Year Annual Research Report
レーザ冠省露光法による光誘起分極反転制御に関する研究
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15760240
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| Research Institution | Shizuoka University |
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Principal Investigator |
米山 賢史 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 (60345808)
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| Keywords | 分極反転 / 円電極 / 抵抗率 / LiNbO_3 / 反転閾値電圧 / 分極反転電流 |
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| Research Abstract |
今年度は、本研究で使用する非線形光学結晶の分極反転特性に関する評価を行った結果、以下の研究結果が得られた。
1)新規分極反転制御法の提案と実証:LiNbO_3(LN)結晶を用いた2μm以下の微小周期分極反転形成を目的として新しい円電極法を提案し、実験により円電極法の実証を行った。理論解析を行った結果、結晶に点接触する円形電極形状が分極反転制御に有効であることが示唆された。円電極法を実証するために2μm周期の円形電極を二光束干渉露光により作製し、電界印加分極反転実験を行った。その結果、厚さ500μmのLN結晶において、2μm周期の分極反転の作製に成功した。また、一部分ではあるが、0.15μmの極微小分極反転の作製に初めて成功し、提案した円電極法の有効性が実証された。
2)結晶の抵抗率と分極反転特性との関係:本研究の目的である微小周期分極反転技術の確立を目指し、抵抗率を制御したLN結晶を用いて分極反転特性を調べた。具体的には従来のLN結晶の抵抗率を4桁低下させたLN結晶を用いて分極反転実験を行った結果、分極反転閾値Vthは100V程度であることを見いだした。また、ドット状周期電極を作製して、電圧100Vを印加した結果、周期ドットパターンを均一に作製することができた。この結果から、結晶の抵抗率を制御することにより、従来と比較し十分低い印加電圧で微小周期反転構造を形成できる可能性が示唆された。
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