2015 Fiscal Year Annual Research Report
Si量子ドットの作製と高いEL量子収率を持つハイブリッド白色LEDの開発
| Project/Area Number |
15H02001
|
|---|
| Research Institution | Hiroshima University |
|---|
Principal Investigator |
齋藤 健一 広島大学, 自然科学研究支援開発センター, 教授 (80302579)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2018-03-31
|
| Keywords | 量子ドット / ナノ粒子 / ナノデバイス |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
28年度は，本研究の2年目となる。本年度では，Ｓｉ量子ドット作製において焼成法を新たに加え，「合計3種類の手法でのSi量子ドットの作製」ができるようになった。また，3種類の手法で作製したSi量子ドットを用い，ハイブリッド白色LEDを作製に着手した。特に新しいところは，焼成法による発光性Ｓｉ量子ドットの作製である。すなわち，シルセスキオキサンを合成し，それを電気炉での焼成ならびに化学処理することにより，Si量子ドットを作製した。特に，合成条件の違いにより，青色発光と赤色発光するＳｉ量子ドットを作り分けることに成功した。これらの発光色の違いには，前駆体であるシルセスキオキサンの構造が関係していることが明らかとなった。
その他，レーザーアブレーション法で作製したSi量子ドットを発光層にした青白色LEDの開発に成功し，論文発表と同時にプレスリリースした。その結果，新聞，Yahooニュース，EurekaAlert!（AAAS, アメリカ科学振興協会）など，国内外のメディア80件ほどに取り上げられた。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
本年度までに，Ｓｉ量子ドット作製において，3年間で計画したすべての方法に着手が完了したから。また，生成物の発光特性の研究を行い，ＬＥＤ作製に着手しているから。
|
| Strategy for Future Research Activity |
今までに行っている３つの作製法でＳｉ量子ドットを作製し，それを用いたＬＥＤ作製を行う。今まで行ってきたＳｉ量子ドットならびにＬＥＤの両者において，発光効率をあげるため作製法を複数ためし，時間の許す限りそれらを行う。
|
