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2015 Fiscal Year Annual Research Report

電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ

Research Project

Project/Area Number 15H02019
Research InstitutionMeijo University

Principal Investigator

岩谷 素顕  名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 上山 智  名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
竹内 哲也  名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
松本 貴裕  名古屋市立大学, 芸術工学研究科(研究院), 教授 (10422742)
Project Period (FY) 2015-04-01 – 2018-03-31
Keywords窒化アルミニウムガリウム / 紫外レーザ / 電子線励起
Outline of Annual Research Achievements

本研究課題では、未踏領域波長である330nm以下の電子線注入型・深紫外窒化物半導体レーザの実現を目指して研究を行う。深紫外レーザは医療、環境分野、殺菌、化学分析や3Dプリンター等の工業的な応用も期待でき実現できれば学術的および産業的な価値は極めて大きい。本研究グループは2000年前後から電流注入型・紫外半導体レーザの検討を進めてきており、発振波長が350nmの紫外線レーザの発振実績を持っている。その一方で、高い自由正孔濃度を持つp型AlGaNの実現が現状されていないことから、発振波長の短波長化が困難な状況となってきている。本研究課題では、それを打破するために電子線励起という窒化物半導体系では本グループのみが報告している方法を適用し、未踏領域波長の深紫外レーザを実現させる。初年度は、その研究目標を実現するために、特に2つの課題に関して検討を行った。
1つ目の検討としてAlGaN系材料を用いたレーザ構造の作製技術において結晶成長およびデバイスプロセス技術の観点から最適化を進めた。具体的には、MOVPE法を用いて最適な層構造さらにはドーピング濃度などの最適化を進めること、さらには光共振器の作製技術に関して詳細な検討を行った。その結果として光励起測定によって閾値パワー密度を算出した結果として、世界最高レベルの低閾値光励起紫外レーザを実現可能であることを見出した。
2つ目の検討として、電子線源の納入を進めた。納入メーカーと10回以上の検討を進めた結果、短パルスかつハイパワー励起が可能な電子線源の導入を実現した。平成28年度はこれらの電子線源およびAlGaNレーザ構造を用いて当初の目的を達成することを目標に研究を推進する。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

本研究課題では、当初の予定通り電子線源の導入を行い、また光励起による低閾値AlGaN系レーザの作製技術を確立した。これらの検討にはデバイスシミュレータの活用が重要であるとして、その検討を進めてきたが、デバイスシミュレータが当初の予定以上に検討が順調に進んだため、素早く最適な構造を作製することが可能となった。また光共振器に関しても、同様に当初劈開法によって同共振器を作製する予定であったが、ドライエッチング法とウェットエッチング法を組み合わせることによって、再現性良くかつ高性能な光共振器を作製することが可能となった。これらの多くは当初の予定では、平成28年度に実施するべき内容で、当初の計画以上に進展しているとしてよいと判断した。
平成28年度は、電子線励起レーザの発振を確認することに加え、当初平成29年度に実施すべき縦モード・横モードの解析や低閾値化の検討を進めたいと考えている。

Strategy for Future Research Activity

平成27年度の取り組みを引き続き実施する。具体的には、端面発光型・面発光型の光励起レーザの結果を比較検討し、どちらの構造を最適化するかを検討する。さらに、横モード・縦モードの制御をおこない、レーザ発振パワー密度の低閾値化、さらにはレーザビームのクォリティーを向上させることを検討する。さらに、光励起のグループと電子線励起のグループの連携によって、電子線励起・深紫外レーザの物理を探求し、同分野の学問的な理解を進める。
また、研究の進め方として、本研究課題では1か月に1回の頻度でグループミーティング、1年に1回の全体報告会を行い、そこで研究計画の見直し進める。また平成28年度の最後の全体報告会では、研究の進捗状況を確認し、この段階で研究の方向性を調整する。

  • Research Products

    (22 results)

All 2016 2015

All Journal Article (7 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Peer Reviewed: 7 results,  Acknowledgement Compliant: 5 results) Presentation (15 results) (of which Int'l Joint Research: 12 results,  Invited: 2 results)

  • [Journal Article] Electrical properties of n-type AlGaN with high Si concentration2016

    • Author(s)
      Kunihiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FE02

    • DOI

      http://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FE02

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Realization of high-performance hetero-field-effect-transistor-type ultraviolet photosensors using p-type GaN comprising three-dimensional island crystals2016

    • Author(s)
      Yuma Yamamoto, Akira Yoshikawa, Toshiki Kusafuka, Toshiki Okumura, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FJ07

    • DOI

      http://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FJ07

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] High-photosensitivity AlGaN-based UV heterostructure-field-effect-transistor-type photosensors2016

    • Author(s)
      Akira Yoshikawa, Yuma Yamamoto, Takuya Murase, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FJ04

    • DOI

      http://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FJ04

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Low-ohmic-contact-resistance V-based electrode for n-type AlGaN with high AlN molar fraction2016

    • Author(s)
      Kazuki Mori, Kunihiro Takeda, Toshiki Kusafuka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FL03

    • DOI

      http://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FL03

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Room-temperature CW operation of a nitride-based vertical-cavity surface-emitting laser using thick GaInN quantum wells2016

    • Author(s)
      Takashi Furuta, Kenjo Matsui, Kosuke Horikawa, Kazuki Ikeyama, Yugo Kozuka, Shotaro Yoshida, Takanobu Akagi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FJ11

    • DOI

      http://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FJ11

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electron and hole accumulations at GaN/AlInN/GaN interfaces and conductive n-type AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2016

    • Author(s)
      Shotaro Yoshida, Kazuki Ikeyama, Toshiki Yasuda, Takashi Furuta, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 55 Pages: 05FD10

    • DOI

      http://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FD10

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Internal quantum efficiency enhancement of GaInN/GaN quantum-well structures using Ag nanoparticles2015

    • Author(s)
      Daisuke Iida, Ahmed Fadil, Yuntian Chen, Yiyu Ou, Oleksii Kopylov, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Haiyan Ou
    • Journal Title

      AIP Publishing

      Volume: 5 Pages: 097169

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1063/1.4931948

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] アニール処理AlN下地層上AlGaN/AlN-MQWの光学特性2016

    • Author(s)
      袴田 淳哉、草深 敏匡、千賀 崇史、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、三宅 秀人、赤崎 勇
    • Organizer
      第63回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京/日本
    • Year and Date
      2016-03-23
  • [Presentation] Si3N4による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化2016

    • Author(s)
      永田 訓章、森 一喜、武田 邦宏、草深 敏匤、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • Organizer
      第63回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京/日本
    • Year and Date
      2016-03-23
  • [Presentation] AlGaN多重量子井戸構造のレーザ発振特性のSi濃度依存性2016

    • Author(s)
      千賀 崇史、永田 訓章、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤﨑 勇
    • Organizer
      第63回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京/日本
    • Year and Date
      2016-03-21
  • [Presentation] High hole accumulation and low p-contact resistande with graded-AlGaN layers2016

    • Author(s)
      Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • Organizer
      8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Place of Presentation
      Nagoya/Japan
    • Year and Date
      2016-03-08
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] AlGaN-based UV-LEDs with polarization engineering2015

    • Author(s)
      Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • Organizer
      14th Akasaki Research Center Symposium
    • Place of Presentation
      Nagoya/Japan
    • Year and Date
      2015-11-20
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Electrical characteristics of externally high Si-doped AlGaN with low AlN molar fraction2015

    • Author(s)
      Kunihiro Takeda, Motoaki Iwaya, Daisuke Iida, Toru Sugiyama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • Organizer
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • Place of Presentation
      Hamamatsu/Japan
    • Year and Date
      2015-11-09
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Low Ohmic contact resistance to high AlN molar fraction n-type AlGaN by V-based electrode2015

    • Author(s)
      Kazuki Mori, Kunihiro Takeda, Toshiki Kusafuka, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    • Organizer
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides
    • Place of Presentation
      Hamamatsu/Japan
    • Year and Date
      2015-11-08
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Extremely low-resistivity and high-carrier-concentration Si-doped AlGaN with low AlN molar fraction for improvement of wall plug efficiency of nitride-based LED2015

    • Author(s)
      M. Iwaya, D. Iida, K. Takeda, T. Sugiyama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • Organizer
      11th international coference of nitride semiconductors
    • Place of Presentation
      Beijing/China
    • Year and Date
      2015-08-30 – 2015-09-04
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Correlation between crystal qualities and electrical properties in Si-doped AlGaN2015

    • Author(s)
      Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • Organizer
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
    • Place of Presentation
      Yokohama/Japan
    • Year and Date
      2015-05-23
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Electrical Properties of High Carrier Concentration n-Type AlGaN2015

    • Author(s)
      K. Takeda, K. Mori, T. Kusafuka,M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
    • Organizer
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
    • Place of Presentation
      Yokohama/Japan
    • Year and Date
      2015-05-23
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Contact Characteristics of V-Based Electrode for High AlN Molar Fraction n-AlGaN2015

    • Author(s)
      K. Mori, K. Takeda, T. Kusafuka,M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Amano
    • Organizer
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
    • Place of Presentation
      Yokohama/Japan
    • Year and Date
      2015-05-23
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Nitride-Based Tunnel Junctions towards DeepUV-LEDs2015

    • Author(s)
      D. Takasuka, D. Minamikawa, M. Ino, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • Organizer
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
    • Place of Presentation
      Yokohama/Japan
    • Year and Date
      2015-05-23
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Electrical properties of extremely low-resistivity and high-carrier-concentration Si-doped AlGaN with low AlN molar fraction2015

    • Author(s)
      Kunihiro Takeda, Kazuki Mori, Toshiki Kusafuka,Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • Organizer
      The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • Place of Presentation
      Seoul/Korea
    • Year and Date
      2015-05-18
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Optimization of growth condition of conductive AlGaN layer with high Al content2015

    • Author(s)
      Toshiki Yasuda, Shota Katsuno, Natsuko Kuwabara, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • Organizer
      The 7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
    • Place of Presentation
      Seoul/Korea
    • Year and Date
      2015-05-18
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] AlN Epitaxial Growth on Sapphire with an Intermediate Layer2015

    • Author(s)
      S. Katsuno, T. Yasuda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • Organizer
      The 3rd International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '15
    • Place of Presentation
      Yokohama/Japan
    • Year and Date
      2015-04-23
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2017-01-06  

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