2018 Fiscal Year Annual Research Report
An IoT that can keep on running over years efficiently and reliably
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15H02677
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| Research Institution | Kyoto Institute of Technology |
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Principal Investigator |
小林 和淑 京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 教授 (70252476)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
古田 潤 京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 助教 (30735767)
西澤 真一 埼玉大学, 理工学研究科, 助教 (40757522)
吉河 武文 富山県立大学, 工学部, 教授 (60636702)
松本 高士 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 助教 (70417369)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | IoT / ソフトエラー / 経年劣化 / パワーエレクトロニクス |
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| Outline of Annual Research Achievements |
研究の最終年度は，これまでの成果をまとめるために，次の研究内容を実施した．
1．FDSOIならびにバルクプロセスを使った集積回路の試作と評価
チップ上にソフトエラー耐性ならびに経年劣化を測定可能な回路を組み込み，それらの耐性を評価した．FDSOIでは，ソフトエラー強靭なフリップフロップを数種類試作し，それらのエラー耐性を重イオンを用いて評価した．その結果，エラー耐性のない回路と比べて10倍程度のエラー耐性を持つことを明らかにした．バルクプロセスでの試作納品は年度末となったため，評価が間に合わなかったが今後測定を行う予定である．経年劣化では，80度に保った恒温槽に1ヶ月間，回路を放置し，経年劣化が時間に対して指数関数的に増加する傾向を明らかにした．また回路の初期劣化につながるアンテナダメージを測定する回路も組み込み，FDSOIでは配線層の相違によるダメージがほぼ等しいことを明らかにした．
2．GaN HEMTを用いた集積回路の試作と評価
GaN HEMTは集積化しやすい横型プロセスであり，パワートランジスタに加えてそれを制御するゲートドライバの集積も可能である．この特性を活かしてブートストラップ型の電力変換回路の試作を行い，10MHzでの正常動作を確認した．集積化によりHEMTのゲートを駆動する波形のリンギングがほぼなくなり，電力変換回路の信頼性を大きく向上させることが可能である．さらに，高速化により回路の小型化にもつながる．
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| Research Progress Status |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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