• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2017 Fiscal Year Annual Research Report

Realization of n-type AlN by clarifying the mechanism of point defect formation in bulk AlN crystal

Research Project

Project/Area Number 15H03555
Research InstitutionTokyo University of Agriculture and Technology

Principal Investigator

熊谷 義直  東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 卓越教授 (20313306)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 村上 尚  東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90401455)
Project Period (FY) 2015-04-01 – 2018-03-31
Keywords窒化アルミニウム / HVPE法 / n形導電性 / Siドーピング / 点欠陥 / 転位 / エッチピット
Outline of Annual Research Achievements

平成28年度、物理気相輸送(PVT)法で作製した低転位密度窒化アルミニウム(AlN)バルク基板上へ1450℃で高純度ホモエピタキシャル層のハイドライド気相成長(HVPE)を行う際、四塩化珪素ガスを供給することでシリコン(Si)ドープn形HVPE-AlN基板作製が達成された。平成29年度は、SiドープHVPE-AlN結晶のキャリア密度低下の原因が、アクセプタ性点欠陥形成によるものか転位形成によるものかを解析した。
HVPE-AlN基板を水酸化カリウムと水酸化ナトリウムの混合融液(450℃)に所定の時間ディップすることで表面にエッチピットが形成されることが分かった。このピット部を断面TEM観察したところ、刃状転位部にピットが形成されることが分かった。ピット密度は1平方センチメートル当たり10の3乗個台で、PVT-AlN基板で形成されるピット密度と同等であった。このことから、HVPE-AlN層はPVT-AlN基板の高い結晶性を引き継いでいることが分かった。PVT-AlN基板とHVPE-AlN層の界面付近の転位伝播を調べたところ、HVPE-AlN層に形成されるエッチピットに存在する刃状転位はすべてPVT-AlN基板から伝播していることが分かった。以上から、HVPE法によるホモエピタキシャル成長では新たな転位形成は無いと結論された。
一方、フォトルミネッセンス解析では、高純度AlNでは見られなかった深い発光バンド(3.3 eV)がSiドープAlNでは見られた。このバンドはAl空孔と隣接するAlサイトを置換したSiに由来する発光とされており、SiドープHVPE-AlN結晶では、転位は形成されないが成長温度の高さに起因してSi不純物の取り込みと共に電荷補償のためAl空孔(アクセプタ性点欠陥)が導入されることが分かった。

Research Progress Status

29年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

29年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (12 results)

All 2017 Other

All Int'l Joint Research (2 results) Presentation (10 results) (of which Int'l Joint Research: 6 results,  Invited: 2 results)

  • [Int'l Joint Research] North Carolina State University(U.S.A.)

    • Country Name
      U.S.A.
    • Counterpart Institution
      North Carolina State University
  • [Int'l Joint Research] Linkoping University(Sweden)

    • Country Name
      Sweden
    • Counterpart Institution
      Linkoping University
  • [Presentation] Wet chemical etching of MOVPE-AlN templates for evaluation of threading dislocations2017

    • Author(s)
      Taro Mitsui, Mari Higuchi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
    • Organizer
      International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’17 (LEDIA ’17)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] エッチピットを用いたMOVPE AlNテンプレートの貫通転位評価2017

    • Author(s)
      樋口真里,三井太朗,永島徹,木下亨,山本玲緒,小西敬太,Bo Monemar,熊谷義直
    • Organizer
      日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • [Presentation] 高品質窒化アルミニウムのハイドライド気相成長におけるSiドープ量制御2017

    • Author(s)
      小西敬太,山本玲緒,富樫理恵,永島徹,木下亨,Rafael Dalmau,Raoul Schlesser,村上尚,Ramon Collazo,Bo Monemar,Zlatko Sitar,熊谷義直
    • Organizer
      日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • [Presentation] エッチピットを用いたHVPE-AlN基板の貫通転位評価2017

    • Author(s)
      樋口真里,三井太朗,永島徹,山本玲緒,小西敬太,Galia Pozina,Rafael Dalmau,Raoul Schlesser,Ramon Collazo,Bo Monemar,Zlatko Sitar,熊谷義直
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 高温AlN-HVPEにおける系内酸素がSiドープ量に与える影響2017

    • Author(s)
      小西敬太,山本玲緒,富樫理恵,永島徹,木下亨,Rafael Dalmau,Raoul Schlesser,村上尚,Ramon Collazo,Bo Monemar,Zlatko Sitar,熊谷義直
    • Organizer
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Development of bulk AlN substrates for deep-UV optoelectronic devices by HVPE method2017

    • Author(s)
      Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu, Bo Monemar, and Zlatko Sitar
    • Organizer
      11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature2017

    • Author(s)
      Keita Konishi, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Toru Nagashima, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
    • Organizer
      11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Characterization of threading dislocations in HVPE-grown AlN substrates by wet chemical etching2017

    • Author(s)
      Taro Mitsui, Mari Higuchi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramon Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
    • Organizer
      11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Preparation of bulk AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy2017

    • Author(s)
      Yoshinao Kumagai
    • Organizer
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Defect selective etching of MOVPE grown AlN and HVPE grown bulk AlN substrates in a molten KOH/NaOH eutectic2017

    • Author(s)
      Mari Higuchi, Taro Mitsui, Toru Nagashima, Reo Yamamoto, Keita Konishi, Galia Pozina, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Ramon Collazo, Bo Monemar, Zlatko Sitar, and Yoshinao Kumagai
    • Organizer
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2018-12-17  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi