2018 Fiscal Year Annual Research Report
Development of an extreme environment resistive CCD using silicon carbide
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15H03967
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| Research Institution | Saitama University |
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Principal Investigator |
土方 泰斗 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授 (70322021)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| Keywords | CCD / 埋込チャネル構造 / 界面準位密度 / イオン注入 / 放射線耐性 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
「可視域CCDにおける電荷輸送」本年度は、可視域に応答する立方晶SiC基板上のMOSキャパシタをフォトリソグラフィー技術を用いてアレー配置し、１×３ピクセルの可視光対応CCDを作製した。グリーンレーザを右端ピクセルの右縁付近に照射し、電圧印加によって電荷輸送を試みたところ、左端ピクセルへの電荷輸送が確認された。すわなち、昨年度達成した紫外光に対する電荷輸送の成功に続き、可視光でも電荷輸送が可能であることを示した。
「埋め込みチャネル構造」埋め込みチャネル構造を導入することで、キャリアの輸送経路をMOS界面から引き離し、MOS界面欠陥でのキャリア捕獲を回避し、光応答特性の高効率化を図った。
n型基板にp型層をガウシアン分布形状で形成することにより埋め込みチャネル構造を構成した。この埋め込みチャネル構造を有する試料とない試料とで比較検討を行った結果、本構造の導入により界面捕獲準位密度が半分程度にまで低減され、本手法の有効性を確認した。
「放射線耐性評価」最終年度である本年度において、主に最終形SiC-CCD の複合耐極限環境性の評価を行った。今回、CCDとしてのガンマ線照射試験は実施できなかったが、その代わりにMOSキャパシタに対する照射試験を実施した。その結果、照射線量１メガグレイ（グレイ≒シーベルト）まで照射しつづけたがMOSキャパシタ特性の劣化はほとんど見られず、SiC半導体のガンマ線耐性の高さを発揮した。
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| Research Progress Status |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
平成30年度が最終年度であるため、記入しない。
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[Presentation] Creating single photon sources in SiC pn diodes using proton beam writing2018
Author(s)
Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, T. Ohshima, Y. Hijikata
Organizer
2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018) (Zhuhai, China) 2018.12.25.
Int'l Joint Research
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