2017 Fiscal Year Annual Research Report
Fundamental physics of ultra-short-pulse generation in clean quantum-structure semiconductor lasers
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15H03968
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 教授 (40251491)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
挾間 優治 東京大学, 物性研究所, 助教 (80759150)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| Keywords | 半導体レーザー / 利得スイッチ / 超放射 / 光物性 / 半導体物性 / 非線形性 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
高品質の多重量子井戸およびダブルヘテロ型の半導体レーザー試料、および導波路の一部に、過飽和吸収体領域を付加したマルチセクション型量子井戸レーザー試料に対して、フェムト秒モード同期チタンサファイア(TiS)レーザー光、自家製のフェムト秒モード同期ファイバーレーザー・第２高調波パルス光などを用いて、インパルス光励起した。その結果得られたピコ秒短パルス光の出力パルスのダイナミクスを、2psの高速時間分解能を有するシンクロスキャン・ストリークカメラを用いた時間・スペクトル分解計測システム、高速フォトダイオード・高速オシロスコープを用いたパルス計測システム、オートコリレータを用いたパルス計測システムなどを用いて評価した。強励起条件下での発生パルスの短波長成分のみをフィルターで切り出す方法を用いて、フェムト秒領域のパルス発生と、そのパルス評価を行った。マルチセクション型量子井戸レーザー試料の可飽和吸収体領域の位置と長さを変えた試料に対して測定を行ったところ、非単調な依存性が見出された。計算機シミュレーションコードを開発し、これまでに得られた出力パルスの再現を試みた。利得セクションに順方向ナノ秒電気パルスもしくは光励起を、過飽和吸収セクションに逆方向直流電圧を印加することに対応して、利得・吸収各領域の長さや利得領域の励起パルス幅を変えた計算を行った。単セクションレーザーの結果や励起パルス幅依存性は実験をよく再現したが、多セクションレーザーの利得・吸収各領域の長さ依存性の詳細の再現には至らなかった。
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| Research Progress Status |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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[Journal Article] icosecond tunable gain-switched blue pulses from GaN laser diodes with nanosecond current injections2017
Author(s)
Shaoqiang Chen, Takahiro Nakamura, Takashi Ito, Hidekazu Nakamae, Xumin Bao, Guoen Weng, Xiaobo Hu, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Jianping,Liu, Masao Ikeda, and Hui Yang
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Journal Title
Optics
Volume: 25
Pages: 13046-13054
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