2015 Fiscal Year Annual Research Report
核形成位置制御法によるグラフェン素子の作製とインフルエンザウイルスの高感度検出
| Project/Area Number |
15H03986
|
|---|
| Research Institution | Tokyo University of Agriculture and Technology |
|---|
Principal Investigator |
前橋 兼三 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (40229323)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大野 恭秀 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (90362623)
金井 康 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (30721310)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2018-03-31
|
| Keywords | マイクロ・ナノデバイス / ナノ材料 |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
本研究は、第1に核形成位置制御法による高性能グラフェンデバイスのアレイ構造を作製する。これは、結晶粒界を有しないグラフェンチャネルを合成することにより高性能デバイスを作製するである。次に、糖鎖プローブをグラフェンチャネル上に修飾することにより、インフルエンザウイルス高感度検出システムを創生することである。
化学気相成長(CVD)法を用いたグラフェン成長は、大面積化が可能なため、産業応用の基盤技術として期待されている。しかしながら、CVDグラフェンをデバイス化するには、ドライエッチングなどによる成型が必要であり、これに伴うグラフェンの損傷や汚染が懸念される。またCVDグラフェンは多結晶となることが多く、グレインバウンダリによりグラフェンの伝達特性が劣化する。本年度は核形成位置制御法によるグラフェンの位置選択的な成長を試みた。まず、フォトリソグラフィと酸化銅のウェットエッチングを用いて、300°Cで酸化した銅酸化層から金属銅が露出したマイクロパターンを作製した。エッチングにより金属銅が露出した領域にグラフェンが選択的に成長させることに成功した。パターンサイズを変化させることで、内部にある結晶数の制御も可能になると考えられる。本手法により、エッチングプロセスフリーなグラフェンデバイス作製や結晶数制御による伝達特性の向上などを通じ、CVDグラフェンの応用性がさらに高まると期待できる。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
フォトリソグラフィと酸化銅のウェットエッチングを用いて、酸化した銅酸化層から金属銅が露出したマイクロパターンを作製し、エッチングにより金属銅が露出した領域にグラフェンが選択的に成長させることに成功している。そのため、おおむね順調であると思われる。
|
| Strategy for Future Research Activity |
今後は、核形成位置制御法で合成したグラフェンを用いて、ヒト及び鳥型糖鎖プローブ修飾グラフェンFETを作製し、インフルエンザウイルスの検出の予備実験を行う。
|
