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2015 Fiscal Year Annual Research Report

磁気トンネル接合を用いた三端子素子に関する研究

Research Project

Project/Area Number 15J04691
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

張 超亮  東北大学, 大学院工学研究科, 特別研究員(DC2)

Project Period (FY) 2015-04-24 – 2017-03-31
Keywordsスピン軌道トルク / スピントロにクス / 電流誘起磁化反転 / 磁気トンネル接合 / 三端子MTJ
Outline of Annual Research Achievements

今年度は、主に以下の三つの成果が得られた。
(1) ナノススケールのTa/CoFeB/MgOドットにおけるSOT磁化反転:これまでスピン軌道トルク(SOT)磁化反転の閾電流密度には実験値と理論値の間で大きなギャップがあり、その要因の一つとして磁化反転の際の磁化構造の不均一性が考えられていた。本研究では、磁化が空間的な均一性を保って反転することが期待される直径30 nm までのTa/CoFeB/MgOドットを持つ素子を作製し、磁化反転に必要な電流密度のドットサイズ依存性を系統的に評価し、磁化の不均一性と反転電流密度の関係を明らかにした。
(2) 反強磁性体/強磁性体二層構造におけるSOT磁化反転:磁化容易軸が垂直方向となるスピン軌道トルク磁化反転素子では、磁化反転の際に面内方向に外部磁場を印加する必要があり、これが応用上の課題であった。本研究では従来非磁性体が用いられていた部分に反強磁性体を用いた場合にも磁化反転に十分なSOTが生じ、またこの場合には反強磁性体/強磁性体界面における交換結合により無磁場でのSOT磁化反転が実現できることを明らかにした。
(3) 新規SOT磁化反転スキームの動作実証:これまでに用いられていたものとはジオメトリの異なる、電流と磁化容易軸が平行となる新しいSOT磁化反転スキームを提案した。それを用いた三端子デバイスを作製し、磁化反転動作を実証した。
以上の三つの研究は、SOT磁化反転の機構の解明に寄与するとともに、三端子磁気トンネル接合素子の研究開発を加速すると期待される。成果(1)を筆頭著者、成果(2),(3)を共著者として、それぞれ一流論文誌(Applied Physics Letters, Nature Materials, Nature Nanotechnology) に発表した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

今年度は、低消費電力かつ高機能な不揮発メモリ・不揮発論理集積回路の実現を可能とするスピン軌道トルク(SOT)を用いた3端子磁気トンネル接合(MTJ)素子の開発を目的として、(1) SOT磁化反転の素子サイズ依存性、(2) 材料・構造の検討、(3)素子の作製と評価方法の確立の三項目の研究を計画通りに進め、重要な成果が得られた上、次年度の研究の土台を築くことができた。
(1) SOT磁化反転の素子サイズ依存性: Ta/CoFeB/MgOを用いたナノメートルスケールの素子の作製プロセスを確立し、ナノ秒までの高速磁化反転動作を測定した。SOT磁化反転の素子サイズ依存性を評価し、磁化反転時の磁化の空間的な不均一性と磁化反転閾電流密度との関係を系統的に調べた。その結果、マイクロメートルサイズの素子を用いた場合にはSOT磁化反転の効率が磁化構造の不均一性などにより過大評価されていること、及びSOTが磁化にどのように作用するかを定量的に明らかにした。これらの知見及び素子の微細加工技術・高速動作評価技術は今後の材料・素子開発に役立てられると考えられる。
(2) 材料・構造の検討: 無磁場での書き込みが可能な三端子SOT-MTJ素子を実現するため、反強磁性体PtMnの積層構造を持つデバイスを作製し、無磁場での磁化反転動作を実証した。また、低書き込み電流密度を実現するためのチャネル層材料(タングステンなど)の検討も開始し、重要な知見が得られ始めている。
(3) 素子の作製方法と評価方法の確立: Ta/CoFeB/MgOを基本構造とする三端子MTJの作製方法を確立し、磁化容易軸が電流と平行な新しいSOT磁化反転スキームを持つ三端子SOT-MTJ素子を試作し、その書き込み動作を実証した。ここで構築したフローを用いて、スピン移行トルクとスピン軌道トルクを併用して磁化を反転する三端子素子の開発も進めている。

Strategy for Future Research Activity

今後は主に以下の3項目の研究を計画している。
(1) 材料の検討:低書き込み電流密度を実現するためのチャネル層材料の開発を目的として、SOT磁化反転の閾電流密度のチャネル層材料、及びその成膜条件依存性を調べる。具体的な推進方策としては、まず異なるスパッタリング条件でタングステンなどの重金属を成膜し、それらの結晶構造と抵抗率のスパッタリング条件依存性を調べる。そして、それらの材料をチャネル層に用いたナノメートルスケールのデバイスを作製し、SOT磁化反転の閾値電流密度を評価する。その上で、磁化反転効率が材料、及びスパッタリング条件によってどのように変化するかを明らかにし、閾電流密度の低減指針を示す。
(2) 高性能な三端子磁気トンネル接合素子の実証:スピン移行トルクとスピン軌道トルクを併用した磁化反転手法について解析的、数値的な検討を行い、効率的な磁化の反転が可能な素子の構造を設計する。その上で、これまでに得られた材料、構造に関する知見を基に垂直磁化三端子MTJ素子を作製し、ナノ秒、サブナノ秒の電流パルスによる高速磁化反転動作の実証を行う。
(3) スピン軌道トルク誘起磁化反転、及びスピン軌道トルク発現機構の理解の促進:これまでに得られたSOT磁化反転の素子サイズ依存性、材料・構造依存性、及び三端子SOT-MTJ素子の動作結果をもとに、スピン軌道トルクがどのようなメカニズムで発現し、それが磁化に印加された際に磁化がどのような動的な振る舞いを示すかに関して体系的な理解を深める。

  • Research Products

    (21 results)

All 2016 2015

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results,  Acknowledgement Compliant: 4 results) Presentation (16 results) (of which Int'l Joint Research: 9 results,  Invited: 2 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results) (of which Overseas: 1 results)

  • [Journal Article] Adiabatic spin-transfer-torque-induced domain wall creep in a magnetic metal2016

    • Author(s)
      S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, and H. Ohno
    • Journal Title

      Nature Physics

      Volume: 12 Pages: 333-336

    • DOI

      10.1038/nphys3593

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Magnetization switching by spin-orbit torque in an antiferromagnet-ferromagnet bilayer system2016

    • Author(s)
      S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, A. Kurenkov, and H. Ohno
    • Journal Title

      Nature Materials

      Volume: online publication Pages: 1-6

    • DOI

      10.1038/nnano.2016.29

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] A spin-orbit torque switching scheme with collinear magnetic easy axis and current configuration2016

    • Author(s)
      S. Fukami, T. Anekawa, C. Zhang, and H. Ohno
    • Journal Title

      Nature Nanotechnology

      Volume: online publication Pages: 1-6

    • DOI

      10.1038//nnano.2016.29

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Spin-orbit torque induced magnetization switching in nano-scale Ta/CoFeB/MgO2015

    • Author(s)
      C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura, and H. Ohno
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 107 Pages: 012401

    • DOI

      10.1063/1.4926371

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Presentation] Spin-orbit torque induced magnetization switching in W/CoFeB/MgO2016

    • Author(s)
      C. Zhang, S. Fukami, S. DuttaGupta, H. Sato, F. Matsukura, and H. Ohno
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] Dot size dependence of magnetization switching by spin-orbit torque in antiferromagnet/ ferromagnet structures2016

    • Author(s)
      Kurenkov, C. Zhang, S. Fukami, S. DuttaGupta, and H. Ohno
    • Organizer
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      東京工業大学(東京都)
    • Year and Date
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [Presentation] スピン軌道トルク磁化反転とそのデバイス応用2015

    • Author(s)
      深見俊輔、張 超亮、姉川哲朗、Samik DuttaGupta、Aleksandr Kurenkov、大野英男
    • Organizer
      東北大学電気通信研究所共同プロジェク研究S 研究会プログラム『スピントロニクス学術研究基盤と連携ネットワーク」構築に向けて』
    • Place of Presentation
      東北大学(宮城県仙台市)
    • Year and Date
      2015-12-05 – 2015-12-05
    • Invited
  • [Presentation] Spin-orbit torque switching for three-terminal spintronics devices2015

    • Author(s)
      S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, and H. Ohno
    • Organizer
      13th RIEC International Workshop on Spintronics
    • Place of Presentation
      Tohoku Univ., Sendai, Japan
    • Year and Date
      2015-11-18 – 2015-11-20
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Different universality classes for current and field driven domain wall creep in a magnetic metal2015

    • Author(s)
      S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, and H. Ohno
    • Organizer
      13th RIEC International Workshop on Spintronics
    • Place of Presentation
      Tohoku Univ., Sendai, Japan
    • Year and Date
      2015-11-18 – 2015-11-20
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Magnetization switching via Spin-orbit torque in nano-scale Ta/CoFeB/MgO2015

    • Author(s)
      C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura, and H. Ohno
    • Organizer
      13th RIEC International Workshop on Spintronics
    • Place of Presentation
      Tohoku Univ., Sendai, Japan
    • Year and Date
      2015-11-18 – 2015-11-20
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] A three-terminal spin-orbit torque device with a new configuration2015

    • Author(s)
      T. Anekawa, C. Zhang, S. Fukami, and H. Ohno
    • Organizer
      13th RIEC International Workshop on Spintronics
    • Place of Presentation
      Tohoku Univ., Sendai, Japan
    • Year and Date
      2015-11-18 – 2015-11-20
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Universality class for adiabatic spin-transfer torque induced domain wall creep in magnetic metal2015

    • Author(s)
      S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, and H. Ohno
    • Organizer
      Tohoku/York/Kaiserslautern JSPS Core-to-Core Workshop on New-Concept Spintronics Devices
    • Place of Presentation
      Tohoku Univ., Sendai, Japan
    • Year and Date
      2015-11-13 – 2015-11-13
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 反強磁性/強磁性積層膜におけるスピン軌道トルク磁化反転2015

    • Author(s)
      深見俊輔、張超亮、Samik DuttaGupta、大野英男
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] Magnetization reversal induced by spin-orbit torque in a nanoscale Ta/CoFeB/MgO dot2015

    • Author(s)
      張超亮、深見俊輔、佐藤英夫、松倉文礼、大野英男
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] スピン軌道トルク磁化反転のパルス幅依存性2015

    • Author(s)
      姉川哲朗、張超亮、深見俊輔、大野英男
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] Universality class for adiabatic spin-transfer torque induced domain wall creep in magnetic metal2015

    • Author(s)
      S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, and H. Ohno
    • Organizer
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • Year and Date
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [Presentation] Spin-orbit torque switching in a ferromagnet/antiferromagnet bilayer system2015

    • Author(s)
      S. Fukami, C. Zhang, S. DuttaGupta, and H. Ohno
    • Organizer
      20th International Conference on Magnetism
    • Place of Presentation
      Barcelona, Spain
    • Year and Date
      2015-07-05 – 2015-07-10
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Spin-orbit torque induced magnetization switching in Ta/CoFeB/MgO heterostructure with a diameter down to 30 nm2015

    • Author(s)
      C. Zhang, S. Fukami, H. Sato, F. Matsukura, and H. Ohno
    • Organizer
      20th International Conference on Magnetism
    • Place of Presentation
      Barcelona, Spain
    • Year and Date
      2015-07-05 – 2015-07-10
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Domain wall creep driven by adiabatic spin transfer torque in magnetic metals2015

    • Author(s)
      S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura and H. Ohno
    • Organizer
      York-Tohoku-Kaiserslautern Research Symposium on "New-Concept Spintronics Devices
    • Place of Presentation
      York, UK
    • Year and Date
      2015-06-11 – 2015-06-13
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Proposal and demonstration of a new spin-orbit torque induced switching device2015

    • Author(s)
      S. Fukami, T. Anekawa, C. Zhang, and H. Ohno
    • Organizer
      IEEE International Magnetics Conference
    • Place of Presentation
      Beijing, China
    • Year and Date
      2015-05-11 – 2015-05-15
    • Int'l Joint Research
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ装置2015

    • Inventor(s)
      深見俊輔、張 超亮、姉川哲朗、大野英男、遠藤 哲郎
    • Industrial Property Rights Holder
      東北大学
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      PCT/JP2015/71562
    • Filing Date
      2015-07-29
    • Overseas

URL: 

Published: 2016-12-27  

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