2016 Fiscal Year Research-status Report
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15K05458
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| Research Institution | Osaka Prefecture University |
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Principal Investigator |
亀尾 肇 大阪府立大学, 理学(系)研究科(研究院), 助教 (50597218)
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| Project Period (FY) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| Keywords | 無機化学 / 錯体化学 / 有機金属化学 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
遷移金属と配位子の間には、多様な相互作用が構築される。これまで、その多様な相互作用によって、遷移金属錯体触媒を用いた様々な分子変換反応が開発されてきた。それらの相互作用は、L 型（2 電子供与）、X 型（1 電子供与）および Z 型（0 電子供与）のものに大別できる。これまで L 型、X 型の相互作用が主な研究対象となってきた。一方、Z 型に分類される相互作用については、近年、その重要性が認知されるようになってきている。
昨年度までに、σ電子受容型（Z 型）相互作用の形成を鍵とする、四配位フルオロシランの Si-F 結合の切断反応を開発している。Si-F 結合は最も強固な単結合の一つであり、我々の開発した反応は、遷移金属錯体を用いて Si-F 結合を切断した初めての反応例であった。さらに、フルオロゲルマンの Ge-F 結合やフルオロスタンナンの Sn-F 結合も同様の手法によって、切断できることを明らかにしてきた。（本年度 Ge-F 結合および Sn-F 結合の切断反応に関する論文を執筆し投稿した。）
そこで、本年度では、Si-F 結合の触媒的に変換する反応の開発に取り組んだ。その結果、四配位フルオロシランの Si-F 結合を触媒的にアリール化する手法を開発することができた。さらに、本研究で開発した手法は Si-F 結合のみならず、フルオロゲルマンの Ge-F 結合やフルオロスタンナンの Sn-F 結合の触媒的アリール化にも適用できることも見出した。さらに DFT (Density Functional Theory) 計算を用いて、その反応の詳細を明らかにした。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
σ電子受容型（Z 型）相互作用の形成を鍵とする、四配位フルオロシランの Si-F 結合の切断反応を触媒化できた。これまで変換困難と思われてきたフルオロシランが変換可能になるものと期待できる。
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| Strategy for Future Research Activity |
Si-F 結合の触媒的変換反応の反応基質の適用範囲を調査する。これまでに開発した反応では、σ電子受容型（Z 型）相互作用を形成するために、リン部位を含む反応基質を使用している。窒素、酸素、硫黄部位などを含む反応基質でも同様の反応が進行するか明らかにする。さらに、多成分のカップリング反応に展開できるか、検討する。
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Research Products
(8 results)
